不同溫度下制備sio2的xrd衍射峰的不同

　　二氧化硅的化學式為SiO2。二氧化硅有晶態和無定形兩種形態。晶態二氧化硅的熔點1723℃，沸點2230℃，不溶于水。除氟氣和氫氟酸外，二氧化硅跟鹵素、鹵化氫和無機酸均不反應，但能溶于熱的濃堿、熔融的強堿或碳酸鈉中。

弱堿、不同溫度下合成的樣品的XRD衍射結果#可以看出在室溫下合成的樣品在1°-3°（2θ）之間有一較強的衍射峰

　　這是對應材料的特征（100）峰，衍射峰的強度很高，說明材料的介孔結構長程有序性較好，另外，在3°~6°間出現3個弱衍射峰。隨著溫度的升高，材料的衍射峰逐漸變弱，在40攝氏度或50攝氏度時介孔材料的衍射峰只有三個衍射峰，衍射峰與室溫下得到的介孔二氧化硅的特征峰相比

　　見圖中b，c沒有高有序衍射峰的存在，說明材料的介孔結構不具有長程有序性，但在高溫65攝氏度時，在2.30左右出現了100特征峰圖1d但并不明顯。這與介孔結構中存但由于顆粒均在納米級范圍，相比較40攝氏度或50攝氏度的棒狀顆粒來說，有序性好的多在的一些缺陷是分不開的但由于顆粒均在納米級范圍。相比較40攝氏度或50攝氏度的棒狀顆粒來說有序性好的多。