什么是半導體異質結

半導體異質結構一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。這些材料可以是GaAs之類的化合物，也可以是Si-Ge之類的半導體合金。按異質結中兩種材料導帶和價帶的對準情況可以把異質結分為Ⅰ型異質結和Ⅱ型異質結兩種，兩種異質結的能帶結構
異質結圖冊
，I型異質結的能帶結構是嵌套式對準的,窄帶材料的導帶底和價帶頂都位于寬帶材料的禁帶中，ΔEc和ΔEv的符號相反，GaAlAs/GaAs和InGaAsP/InP都屬于這一種。在Ⅱ型異質結中，ΔEc和ΔEv的符號相同。具體又可以分為兩種:一種所示的交錯式對準，窄帶材料的導帶底位于寬帶材料的禁帶中，窄帶材料的價帶頂位于寬帶材料的價帶中。另一種如圖1(c)所示窄帶材料的導帶底和價帶頂都位于寬帶材料的價帶中
Ⅱ型異質結的基本特性是在交界面附近電子和空穴空間的分隔和在自洽量子阱中的局域化。由于在界面附近波函數的交疊，導致光學矩陣元的減少，從而使輻射壽命加長，激子束縛能減少。由于光強和外加電場會強烈影響Ⅱ型異質結的特性，使得與Ⅰ型異質結相比，Ⅱ型異質結表現出不尋常的載流子的動力學和復合特性，從而影響其電學、光學和光電特性及其器件的參數。