擴散爐是集成電路生產線前工序的重要工藝設備之一，它的主要用途是對半導體進行摻雜，即在高溫條件下將摻雜材料擴散入硅片，從而改變和控制半導體內雜質的類型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區域。雖然某些工藝可以使用離子注入的方法進行摻雜，但是熱擴散仍是最主要、最普遍的摻雜方法。硅的熱氧化作用是使硅片表面在高溫下與氧化劑發生反應，生長一層二氧化硅膜。氧化方法有干氧氧化和水汽氧化（含氫氧合成）兩種，擴散爐是用這兩種氧化方法制備氧化層的必備設備。擴散爐是半導體集成電路工藝的基礎設備，它與半導體工藝互相依存、互相促進、共同發展。