對于導電性能不好的樣品如半導體材料,絕緣體薄膜,在電子束的作用下,其表面會產生一定的負電荷積累,這就是俄歇電子能譜中的荷電效應.樣品表面荷電相當于給表面自由的俄歇電子增加了一定的額外電壓, 使得測得的俄歇動能比正常的要高.在俄歇電子能譜中,由于電子束的束流密度很高,樣品荷電是一個很嚴重的問題.有些導電性不好的樣品,經常因為荷電嚴重而不能獲得俄歇譜.但由于高能電子的穿透能力以及樣品表面二次電子的發射作用,對于一般在100nm厚度以下的絕緣體薄膜,如果基體材料能導電的話,其荷電效應幾乎可以自身消除.因此,對于一般的薄膜樣品,一般不用考慮其荷電效應.