光電導效應，又稱為光電效應、光敏效應，是光照變化引起半導體材料電導變化的現象。即光電導效應是光照射到某些物體上后，引起其電性能變化的一類光致電改變現象的總稱。光電導效應是兩種內光電效應中的一種。
所謂內光電效應, 是指受到光照的半導體的電導率σ發生變化或產生光生電動勢的現象。 其中 , 由于光照而引起半導體的電導率 σ 發生變化的現象稱為光電導效應( photoconductive effects)。當光照射到半導體材料時，材料吸收光子的能量，使非傳導態電子變為傳導態電子，引起載流子濃度增大，因而導致材料電導率增大。
在光線作用下，對于半導體材料吸收了入射光子能量， 若光子能量大于或等于半導體材料的禁帶寬度， 就激發出電子-空穴對，使載流子濃度增加，半導體的導電性增加，阻值減低，這種現象稱為光電導效應。光敏電阻就是基于這種效應的光電器件。