1873年，英國W.史密斯發現硒的光電導效應，但是這種效應長期處于探索研究階段，未獲實際應用。第二次世界大戰以后，隨著半導體的發展，各種新的光電導材料不斷出現。在可見光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導探測器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。 工作原理和特性 光電導效應是內光電效應的一種。當照射的光子能量hv等于或大于半導體的禁帶寬度Eg時，光子能夠將價帶中的電子激發到導帶，從而產生導電的電子、空穴對,這就是本征光電導效應。這里h是普朗克常數，v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度（單位為電子伏）。因此，本征光電導體的響應長波限λc為 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c為光速。本征光電導材料的長波限受禁帶寬度的限制。
在60年代初以前還沒有研制出適用的窄禁帶寬度的半導體材料，因而人們利用非本征光電導效應。Ge、Si等材料的禁帶中存在各種深度的雜質能級，照射的光子能量只要等于或大于雜質能級的離化能，就能夠產生光生自由電子或自由空穴。非本征光電導體的響應長波限λ由下式求得 λc=1.24/Ei 式中Ei代表雜質能級的離化能。到60年代中后期，Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半導體材料研制成功,并進入實用階段。它們的禁帶寬度隨組分x值而改變，例如x=0.2的HG0.8Cd0.2Te材料，可以制成響應波長為 8～14微米大氣窗口的紅外探測器。