全新3D納米超導量子干涉器件問世

　　在中科院戰略性先導B類專項等國家重大項目的支持下，中科院超導電子學卓越創新中心在納米超導量子干涉器件（nanoSQUID）研究上取得重要進展。中科院上海微系統研究所研究員、超導實驗室主任王鎮，副研究員陳壘等發明并研制了一種全新的3D nanoSQUID器件，相關研究成果日前發表于《納米通訊》。

　　NanoSQUID是基于SQUID發展起來的一種新型超導器件，它通過現代微納加工技術將SQUID的超導環縮小到納米級別，構成極端靈敏的微觀自旋探測器，理論上可以達到測量單電子自旋的靈敏度。此前的nanoSQUID器件由于普遍采用2D平面結構，很難形成理想約瑟夫森微橋結，從而存在臨界電流—磁通調制深度較低的問題，限制了器件的靈敏度。

　　該研究團隊通過自主創新研究，利用中科院超導電子學卓越中心的一流超導器件工藝平臺，在國際上首次制備成功Nb基 3D nanoSQUID器件，獲得了較理想的約瑟夫森效應，磁通調制深度高達45.9%。同時，該器件在0.5 T的平行磁場環境下仍然可以正常工作，完全滿足X-band（~10 GHz）自旋磁共振條件，為Nb基 nanoSQUID在單電子自旋探測應用邁出了重要的一步，獲得國際審稿人“解決了該領域二十多年的難題，有望實現nano-SQUID的革命性突破”的高度評價。