微區分析
上面利用俄歇能譜面分布或線分布進行的分析就是微區分析（略）。
狀態分析
對元素的結合狀態的分析稱為狀態分析。AES的狀態分析是利用俄歇峰的化學位移，譜線變化（包括峰的出現或消失），譜線寬度和特征強度變化等信息。根據這些變化可以推知被測原子的化學結合狀態。一般而言，由AES解釋元素的化學狀態比XPS更困難。實踐中往往需要對多種測試方法的結果進行綜合分析后才能作出正確的判斷。
深度剖面分析
利用AES可以得到元素在原子尺度上的深度方向的分布。為此通常采用惰性氣體離子濺射的深度剖面法。由于濺射速率取決于被分析的元素，離子束的種類、入射角、能量和束流密度等多種因素，濺射速率數值很難確定，一般經常用濺射時間表示深度變化。
界面分析
用AES研究元素的界面偏聚時，首先必須暴露 界面（如晶界面， 相界面，顆粒和基體界面等等。一般是利用樣品沖斷裝置，在超高真空中使試樣沿界面斷裂，得到新鮮的清潔斷口，然后以盡量短的時間間隔，對該斷口進行俄歇分析。 對于在室溫不易沿界面斷裂的試樣，可以采用充氫、或液氮冷卻等措施。如果還不行，則只能采取金相法切取橫截面，磨平，拋光或適當腐蝕顯示組織特征，然后再進行俄歇圖像分析。
定量分析
AES定量分析的依據是俄歇譜線強度。表示強度的方法有：在微分譜中一般指正、負兩峰間距離，稱峰到峰高度，也有人主張用負峰尖和背底間距離表示強度。
