薄膜沉積技術可以分為化學氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）。對于CVD工藝，這包括原子層沉積（ALD）和等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）。PVD沉積技術包括濺射，電子束和熱蒸發。CVD工藝包括使用等離子體將源材料與一種或多種揮發性前驅物混合以化學相互作用并使源材料分解。該工藝使用較高壓力的熱量，從而產生了更可再現的薄膜，其中薄膜厚度可以通過時間/功率來控制。這些薄膜的化學計量性更高，密度更高，并且能夠生長更高品質的絕緣體薄膜。PVD處理使用通過某種電能氣化的固體前驅體金屬。然后將氣化的原子轉移到襯底上。該過程使用石英晶體速率監控器控制膜的速率和厚度來管理厚度。抽氣室至較低的液位將減少背景氣體與預期的制膜工藝發生化學反應。