1．冷凍蝕刻表面標記免疫電鏡技術
（1）新鮮或固定的細胞進行直接法或間接法免疫標記。
（2）PBS（pH7.5）沖洗3min×2，加入1mmol/l MgCl2蒸餾水洗洗3min×3，離心沉集細胞。
（3）將細胞團置于小紙板上，入液氮冷卻的Freon中，取出入冷凍蝕刻儀中進行斷裂操作，再于-100℃蝕刻1min 。
（4）制做斷裂面復型。
（5）再次氯酸鈉清洗復型，蒸餾水洗后進行觀察。
本法可顯示斷裂暴露的PF位于中央，周圍則是蝕刻后露出來的ES，標記物只出現在ES上。
2．斷裂—標記免疫電鏡技術
此法是先進行冷凍斷裂，再做免疫標記，從而可以對斷裂開的各種膜結構及胞漿斷面進行標記。
（1）臨界點干燥法
①固定：1.0%～2.5%戊二醛PBS液4℃1～2h，PBS沖洗3min×3。
如為細胞懸液，可加入30%BSA后加入1%戊二醛，使BSA凝膠化，將凝膠切成2mm左右的小塊，用30%的甘油—PBS浸透后置于用液氮冷卻的Freon中冷卻。
②冷凍斷裂，將冰凍的凝膠小塊放在盛有液氮的培養皿中，培養皿放置于二氧化碳—液氮槽中，用預冷的解剖刀切割凝膠小塊進行冷凍斷裂。
③解凍，置碎塊于30%甘油—1%戊二醛磷酸緩沖液中解凍。
④置換甘油，放入1mmol/l 氨基乙酰甘氨酸磷酸液去甘油，PBS沖洗，3min×2。
⑤免疫標記。
⑥1%鋨酸，室溫固定30min。
⑦系列梯度乙醇脫水，臨界點干燥，噴鍍鉑—碳膜，次氯酸鈉清洗復型，蒸餾水洗，撈于有Formvar 膜銅網上透射電鏡觀察。
（2）超薄切片法
步驟：①至⑤同臨界點干燥法。
⑥1%鋨酸，室溫固定2h，系列酒精或丙酮脫水，常規電鏡包埋。
⑦切半薄片，光鏡定位合適的斷裂部位，再切超薄切片，鈾鉛染色，透射電鏡觀察。
斷裂標記法目前文獻報告應用較多的是植物凝集素—膠體金免疫標記技術，常用的如刀豆球蛋白（Con A）-- 膠體金免疫標記技術.Con A 能與細胞膜中的甘露糖結合，能標記內質網膜、核被膜以及細胞膜的EF面，有助于糖蛋白在超微結構水平的定位。
為保證實驗結果的準確性，每組實驗在免疫標記階段應設立對照組。對照組的設計同第一章 總論中的免疫對照染色。