半導體所高功率皮秒光纖放大器研究獲進展

　　高功率和超快的光纖激光器和放大器具有光束質量好、光-光轉換效率高、脈沖能量高、熱效應小等優點，在材料微加工處理、軍工、太陽能電池等領域得以廣泛應用，高功率光纖激光器和放大器能克服傳統的固體激光器存在的一些問題。也正是由于這些獨特優勢使得其逐漸成為近年來的研究熱點之一。

　　中科院半導體研究所全固態光源實驗室采用半導體可飽和吸收體作為鎖模器件的高穩定性Nd:YVO4激光器作為種子源，6米長20 μm 纖芯雙包層摻鐿光纖作為增益介質。通過反向泵浦的單級主振蕩功率放大系統，將0.7 W 的種子源放大到62 W，中心波長在1064 nm，脈寬為40 ps，重復頻率為80 MHz。該放大系統可以在57.6 W穩定工作數小時，且在57.6 W高平均功率輸出時沒有放大的自發輻射和受激拉曼散射等現象出現。

　　此激光器是在單級反向泵浦20 μm級纖芯光纖放大器獲得的最高功率輸出。