分布反攢激光器縱向結構與常規異質結激光器類似(見半導體激光器),只是引入了光柵以實現反饋功能。圖1給出掩埋條形的分布反饋激光器結構。
圖1 InGaAsP/Inp分布反饋激光器結構圖
光柵的設計,應考慮激射波長、波導層厚度、光柵深度以及光柵長度等因素,以提高光柵的耦合系數,改善光反饋功能。要求光柵均勻、表面完整,有預期的深度和組形。
器件特性:①縱模特性,分布反饋激光器最具特色性能為單縱模特性。經過光柵選模,其光發射譜一般是雙模或單模,主邊模抑制比可達30~40dB。②溫度特性,常規的異質結激光器發射波長的溫度變化率為0.3nm/k,而DFB激光器則為0.lnm/k以下,而且在數十度范圍不跳模。③高速調制特性,在高速調制下仍保持單縱模特性,最高調制速率已達l0Gbit/s量級。④光譜線寬窄,一般分布反饋激光器線寬為數十兆赫,已達到的最高水平低于100kHz。