JSM-7800F 熱場發射掃描電子顯微鏡
新一代掃描電鏡JSM-7800F配備了新開發的超級混合式物鏡(SHL)，在保持極高的可操作性的同時，實現了低加速電壓下的高分辨率，電子源采用浸沒式（in-lens）肖特基場發射電子槍，因而能以大束流電流進行穩定的分析。
新一代場發射掃描電鏡JSM-7800F配備了新開發的超級混合式物鏡(SHL)，在保持極高的可操作性的同時，實現了低加速電壓下的高分辨率，電子源采用浸沒式（in-lens）肖特基場發射電子槍，因而能以大束流電流進行穩定的分析。
通過超級混合式物鏡(SHL)進行高分辨率觀察
JSM-7800F的物鏡采用的是靜電場和靜磁場疊加的超級混合式物鏡(SHL)，由于減少了色差及球差，極大地提高了低加速電壓下的分辨率。此外，SHL不會對樣品形成磁場影響，因此觀察磁性材料的樣品和進行EBSD測試可以不受制約。
低加速電壓下的能量選擇
能量過濾器位于高位檢測器 (UED)的正下方，可以選擇能量。即使在低加速電壓下，也能夠精確地選擇二次電子和背散射電子，因而可以通過低加速電壓下的背散射電子像觀察樣品的淺表面。
通過Gentle Beam （即柔和光束GB模式）觀察樣品的淺表面
給樣品加以偏壓(GB)，對入射電子有減速、對釋放出的電子有加速作用。即使入射電子束到達樣品時的能量很低，也可以獲得高分辨率、高信噪比的圖像。如果利用能施加更高偏壓的GB模式，用幾十電子伏能量的入射電子束，就可以進行更高分辨率的觀察。
通過多個檢測器獲取樣品的所有信息
JSM-7800F配有四種檢測器：高位檢測器(UED) 、高位二次電子檢測器(USD)、背散射電子檢測器(BED)和低位檢測器(LED)。UED過濾器的電壓不同，二次電子和背散射電子的數量會改變，因此可以選擇電子的能量，USD檢測被過濾器彈回的低能量電子，BED通過檢測低角度的背散射電子，能清楚地觀察通道襯度。利用LED的照明效果能夠獲得含有形貌信息的、富有立體感的圖像。
應用實例
低加速電壓下的觀察
利用JSM-7800F的GB模式，到達樣品的能量從10 eV開始就可以觀察。下面將到達樣品的能量設定為80 eV進行實例觀察：一個碳原子厚度的石墨薄片的表面
樣品: 石墨烯 到達能量80eV
能量選擇
UED和USD能同時獲取背散射電子像(左圖)和二次電子像(右圖)，因此可以精確地解釋圖像。二次電子像主要反映形貌信息，金顆粒和TiO2的襯度沒有明顯不同，而背散射電子像中原子序數高的金顆粒則顯得明亮。
| 背散射電子像 |
| 二次電子像 |
| 樣品: 金負載型TiO2催化劑(2kV)g |
利用GBSH觀察
利用GBSH對樣品施加高偏壓，像差將會減小，圖像的高分辨率會更高。能清楚地觀察到介孔二氧化硅里中的微孔(下圖)。
樣品：介孔二氧化硅 到達樣品的能量: 1keV
觀察磁性材料樣品
SHL物鏡能抑制磁場的泄漏，因此即便是磁性材料的樣品，也可以用極低的入射電子能量很容易地進行高分辨率觀察 。
樣品: 磁鐵礦納米顆粒 到達樣品的能量: 1keV
磁性樣品的EBSD測試
SHL沒有磁場泄漏的影響，也很適合于EBSD。象下圖所示那樣，通過反極圖能準確地確定晶體的取向。
分析點數: 118585
尺寸: Xzei大: 80.00微米, Y zei大: 79.89微米,步長: 0.25微米, 相: Nd2Fe14B
從樣品中獲得的EBSD花樣實例( 在任意點上獲取)
ND TD RD
| 分辨率 | 0.8 nm (15 kV)、1.2 nm (1 kV) 分析模式：3.0 nm (15kV、5nA、WD10mm) |
| 倍率 | × 25 ～ × 1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30～×3,000,000(1280 x 960 pixels display); |
| 加速電壓 | 0.01kV ～ 30kV |
| 束流 | 幾pA～200nA |
| 自動光闌角zei佳控制透鏡 | 內置 |
| 檢測器 | 高位檢測器(UED) 低位檢測器(LED) |
| 能量過濾器 | UED過濾器電壓可變功能內置 |
| Gentle Beam模式 | 內置 |
| 樣品臺 | 全對中測角樣品臺、5軸馬達驅動 X：70mm Y：50mm Z：2mm～25mm 傾斜－5～＋70° 旋轉360° |
主要選配件
能譜儀（EDS)
波譜儀（WDS）
電子背散射衍射系統（EBSD)
陰極熒光系統（CLD）
| 分辨率 | 0.8 nm(15 kV) 1.2 nm(1 kV) 3.0 nm (15kV、5nA、WD10mm) |
| 倍率 | ×25 ～ ×1,000,000(SEM) |
| 加速電壓 | 0.01kV ～ 30kV |
| 樣品照射電流(探針電流) | 數pA～200nA |
| 自動光闌角zei佳控制透鏡 | 內置 |
| 檢測器 | 高位檢測器(UED) 低位檢測器(LED) |
| 能量過濾器 | UED過濾器電壓可變功能內置 |
| Gentle Beam （GB模式即柔和光束） (樣品偏壓) | 內置 |
| 數字圖像 | 1,280 x 960 像素, 800 x 600 像素 |
| 樣品交換室 | 由TYPE2A構成 |
| 樣品臺 | 全對中測角樣品臺、5軸馬達驅動 |
| X-Y | X:70mm, Y:50mm |
| 傾斜 | －5 ～ ＋70° |
| 旋轉 | 360° |
| 工作距離 | 2mm to 25mm |
| 真空系統 | SIP 2臺、TMP、RP |
| 節能設計 | 正常運行時: 1.3kVA 節能模式時: 0.8ｋV |
能譜儀（EDS)
波譜儀（WDS）
電子背散射衍射系統（EBSD)
陰極熒光系統（CLD）
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