ICP-AES（inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry）分析技術發展開始于20世紀60年代，至今已發展成為原子發射光譜分析應用最為廣泛的光譜分析技術。
關于ICP光源的出現，文獻上認為1884年W. Hittorf發現高頻感應在真空管內產生的輝光，是等離子放電的最初觀察。至1942， Babat才實現了常壓下的Ar-ICP放電。
但是，具有光譜分析意義的發現，應自1961年T.B.Reed設計的三層同心石英管組成的等離子炬管裝置，和從切線方向通入冷卻氣，得到在大氣壓下類似火焰形狀的高頻無極放電裝置開始，并預示其作為發射光譜分析光源的可能性。至今常規ICP的炬管與T.B.Reed的裝置沒什么本質區別，而切線方向進氣所產生的渦流效應被稱為Reed效應，是實現ICP光源穩定放電的重要條件。
1962年美國V.A. Fassel Greenfield首次開始ICP-AES分析法的研究S.Greenfield 于1964年和R.H.Wendt、VA.Fassel于1965年分別發表了ICP在原子光譜分析上的應用報告。前者指出了ICP光源沒有基體效應，后者指出ICP光源是一種有效的揮發-原子化-激發-電離器（VAEI）。1976年V.A. Fassel將ICP-AES用于有機試樣的分析，測定了潤滑油中軸承磨損的金屬含量。
1969年出現了ICP-AFS裝置。20世紀70年代出現了荷蘭、法國、英國、美國4種流行的ICP儀器系統，開始應用于原子發射光譜光源。特別是美國 Fassel型裝置，成為后來ICP-AES儀器的主要設計類型。
1975年出現了第一臺ICP-AES同時型（多道）商品儀器，1977年出現了順序型（單道掃描）商品儀器，此后，ICP-AES儀器在分析實驗室中的應用顯著增多，迎來了ICP-AES分析技術的發展高潮。
1993年出現中階梯（echelle）光柵-棱鏡雙色散系統與面陣式固體檢測器相結合的ICP-AES商品儀器。這一新型儀器以高譜級光譜線實現儀器的高分辨，極大地改變了傳統光譜儀器的光學結構；采用電荷注入器件（charge injection device,CID）或電荷耦合器件（charge couple device，CCD）檢測器，實現多譜線同時測定，具有全譜的直讀功能，使發射光譜分析方法進入了一個新的發展時期。
進入21世紀以來，ICP-AES儀器的功能得到迅速提高，儀器的靈敏度比20世紀80年代初期文獻報道的提高了1個數量級以上。隨后相繼推出各種分析性能好、性價比越來越有優勢的商品化儀器，使ICP-AES分析技術逐漸成為元素分析的常規手段。