常見的襯底支撐石墨烯體系，有SiC熱解生長石墨烯、Cu等金屬襯底上CVD法生長石墨烯、Si上轉移石墨烯等。石墨烯的常用結構表征技術包括透射電鏡、拉曼（Raman）、原子力顯微鏡（AFM）、光學顯微鏡以及掃描電鏡（SEM）。其中，SEM具有分辨率達納米級、觀測范圍大、速度快、無損等優點，在石墨烯的生長機理研究、表面覆蓋度確定、褶皺等缺陷觀察、相對厚度測定等研究方面具有獨特優勢。目前，幾乎所有的SEM均配備了二次電子（Secondary electron，SE）探測器進行表面形貌分析，“標配”的SE探測器是腔室內的旁置式Everhart-Thornley（E-T）探測器。
一直以來，研究者發現低加速電壓（<5 kV）下成像可以顯著提升襯底支撐石墨烯的E-T SE圖像襯度。但是，對于另外一個很重要的成像參數——工作距離（樣品上表面與物鏡極靴下端面之間的距離）的影響，卻少人關注，研究者一般均設其為高加速電壓下的數值（8–12 mm）。而且，文獻中缺乏統一的理論框架來自洽地解釋工作距離和加速電壓兩個因素對襯度的影響規律。
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國儀量子電鏡產品論文獎勵政策引言 為感謝廣大用戶長期以來的支持與厚愛，引領國產儀器創新發展，國儀量子決定對使用本公司電鏡產品并發表高水平學術文章的科研工作者給予現金獎勵。本次活動將邀請所有國......
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