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  • 發布時間:2022-11-04 14:26 原文鏈接: 根據形成的原因不同對真實晶體缺陷進行分類

    1熱缺陷(晶格位置缺陷)

    在晶體點陣的正常格點位出現空位,不該有質點的位置出現了質點(間隙質點)。

    2 組成缺陷

    外來質點(雜質)取代正常質點位置或進入正常結點的間隙位置。

    3 電荷缺陷

    晶體中某些質點個別電子處于激發狀態,有的離開原來質點,形成自由電子,在原來電子軌道上留下了電子空穴。


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