三、爬行腐蝕的影響因素
1．大氣環境因素的影響作為大氣環境中促進電子設備腐蝕的元素和氣體，被列舉的有：SO2、NO2、H2S、O2、HCl、Cl2、NH3等，腐蝕性氣體成分的室內濃度、蓄積速度、發生源、影響和容易受影響的材料及容許濃度如表1所示。上述氣體一溶入水中，就容易形成腐蝕性的酸或鹽。表1
2．濕度根據爬行腐蝕的溶解／擴散／沉積機理，濕度的增加應該會加速硫化腐蝕的發生。
Ping Zhao等人認為，爬行腐蝕的速率與濕度成指數關系。Craig Hillman等人在混合氣體實驗研究中發現，隨著相對濕度的上升，腐蝕速率急劇增加，呈拋物線狀。以Cu為例，當濕度從60％RH增加到80％RH時，其腐蝕速率后者為前者的3．6倍。
3．基材和鍍層材料的影響
Conrad研究了黃銅、青銅、CuNi三種基材，Au／Pd／SnPb三種鍍層結構下的腐蝕速率，實驗氣氛為干／濕硫化氫。結果發現：基材中黃銅抗爬行腐蝕能力最好，CuNi最差；表面處理中SnPb是最不容易腐蝕的，Au、Pd表面上腐蝕產物爬行距離最長。
Alcatel－Lucent、Dell、Rockwell Automation等公司研究了不同表面處理單板抗爬行腐蝕能力，認為HASL、Im－Sn抗腐蝕能力最好，OSP、ENIG適中，Im－Ag最差。Alcatel－Lucent認為各表面處理抗腐蝕能力排序如下：ImSn～HASL5ENIG＞OSP＞ImAg化學銀本身并不會造成爬行腐蝕。但爬行腐蝕在化學銀表面處理中發生的概率卻更高，這是因為化學銀的PCB露Cu或表面微孔更為嚴重，露出來的Cu被腐蝕的概率比較高。
4．焊盤定義的影響
Dell的Randy研究認為，當焊盤為阻焊掩膜定義（SMD）時，由于綠油側蝕存在，PCB露銅會較為嚴重，因而更容易腐蝕。采用非阻焊掩膜（NSMD）定義方式時，可有效提高焊盤的抗腐蝕能力。
5．單板組裝的影響。
① 再流焊接：再流的熱沖擊會造成綠油局部產生微小剝離，或某些表面處理的破壞（如OSP），使電子產品露銅更嚴重，爬行腐蝕風險增加。由于無鉛再流溫度更高，故此問題尤其值得關注。
② 波峰焊接：據報導，在某爬行腐蝕失效的案例中，腐蝕點均發生在夾具波峰焊的陰影區域周圍，因此認為助焊劑殘留對爬行腐蝕有加速作用。其可能的原因是：●助焊劑殘留比較容易吸潮，造成局部相對濕度增加，反應速率加快；●助焊劑中含有大量污染離子，酸性的H＋還可以分解銅的氧化物，因此也會對腐蝕有一定的加速作用。四、對爬行腐蝕的防護措施隨著全球工業化的發展，大氣將進一步惡化，爬行腐蝕將越來越受到電子產品業界的普遍關注。
歸納對爬行腐蝕的防護措施主要有：（1）采用三防涂敷無疑是防止PCBA腐蝕的最有效措施；（2）設計和工藝上要減小PCB、元器件露銅的概率；（3）組裝過程要盡力減少熱沖擊及污染離子殘留；（4）整機設計要加強溫、濕度的控制；（5）機房選址應避開明顯的硫污染。五、爬行腐蝕、離子遷移枝晶及CAF等的異同馬里蘭大學較早研究了翼型引腳器件上的爬行腐蝕，并對腐蝕機理進行了初步的探討。與離子遷移枝晶、CAF類似，爬行腐蝕也是一個傳質的過程，但三者發生的場景、生成的產物及導致的失效模式并不完全相同，具體對比如表2所示。表2
根據樊融融編著的現代電子裝聯工藝可靠性改編