近日，西安交通大學電信學部電子學院教授任巍、牛剛團隊利用基于二硫化鉬溝道和外延鐵電HZO薄膜柵介質的光電晶體管實現了高響應度光電探測，相關研究成果發表在Advanced Functional Materials上。
該研究利用優化的具有背柵結構和肖特基對650nm波長光電響應進行了實驗驗證并實現良好的光電探測性能。將半導體硅工藝兼容性好、鐵電疇取向一致性高的外延鉿基鐵電薄膜應用于此類器件，有助于提高器件性能并研究相關重要物理現象，包括雙極電學行為和負光電導性。
在對二硫化鉬材料特性，以及器件電特性和光電特性的研究基礎上，研究團隊闡明了二硫化鉬光電探測器鐵電調控性能的原因。實驗中還觀察到了具有-8.44×103A W-1高響應度的負光電導，這對于極弱光探測具有重要意義。
相關論文信息：https://doi.org/10.1002/adfm.202402185
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