M-Z干涉儀式調制器
輸入光波經過一段光路后在一個Y分支處被分成相等的兩束，分別通過兩光波導傳輸，光波導是由電光材料制成的，其折射率隨外加電壓的大小而變化，從而使兩束光信號到達第2個Y分支處產生相位差。若兩束光的光程差是波長的整數倍，兩束光相干加強；若兩束光的光程差是波長的1/2，兩束光相干抵消，調制器輸出很小.因此通過控制電壓就能對光信號進行調制。
定向耦合式調制器
定向耦合式調制器是由平行且距離很小的兩個光波導組成，其中一個波導的光能耦合到另一個波導內，電極電場的作用是改變波導的傳播特性和促進兩波導間的橫向光耦合。在光的一個耦合周期內，當電極上無電壓時，一個波導內傳輸的光將完全耦合到另一個波導輸出；當電極上有電壓時，進入一個波導內的光，耦合后將完全再返回到原波導中傳播和輸出.因此光信號就受到了控制電壓的調制。
F-P型調制器
F-P型調制器是利用兩端面的反射來形成F-P腔，光波在F-P腔中的相位延遲隨波導電極上所加電壓引起的折射率的變化而變化，輸出光強也作相應的變化，從而實現對入射光信號的調制。
與其他結構形式的調制器(M-Z干涉儀式調制器、定向耦合式調制器等)相比，F-P型調制器具有調制靈敏度高的特點，因此在光傳感，光通信等方面有重要用途。
Si基光調制器
Si基光調制器是借助于Si晶體的電光效應而實現調制的。對于Si這樣的材料來說，由于晶體的對稱性，非線性電光普克爾效應發生在未應變的純Si中，在半導體材料中，增大電光相互作用的最好方法：一種是熱光效應;另一種是載流子注入。
雙輸出電光強度調制器
雙輸出電光強度調制器一般采用M-Z型結構，其調制原理與M-Z干涉儀電光調制器相似，只是將M-Z干涉儀的第2個Y形分支換成一個3dB耦合器，從而使該調制器具有兩個光輸出口，由于每個輸出口具有50%的光輸出，可以使用一個輸出對信號進行監測，從而進一步改善載噪比。這種調制器在模擬光纖（CATV）和纖維光學傳感器中得到了廣泛的應用。
截止式調制器
截止式調制器當不加電壓時，波導恰好處于最低階模的截止點，而當加上調制電壓時，調制電場通過電光效應使波導折射率增加，導致最低階模高于截止點而使光導通，從而實現對光波的調制。
薄膜調制器
隨著薄膜技術的發展，特別是可選薄膜材料的增多，薄膜調制器技術倍受關注.E/O有機聚合物高速調制器的研究始于1990年，由于有機聚合物材料相對于無機材料具有許多優點，因此發展十分迅速，有望制成超高速調制器。