電子背散射衍射

20世紀90年代以來，裝配在SEM上的電子背散射花樣(Electron Back-scattering Patterns，簡稱EBSP)晶體微區取向和晶體結構的分析技術取得了較大的發展，并已在材料微觀組織結構及微織構表征中廣泛應用。該技術也被稱為電子背散射衍射(Electron Backscattered Diffraction，簡稱EBSD)等。EBSD的主要特點是在保留掃描電子顯微鏡的常規特點的同時進行空間分辨率亞微米級的衍射。EBSD改變了以往織構分析的方法，并形成了全新的科學領域，稱為“顯微織構”——將顯微組織和晶體學分析相結合。目前，EBSD技術已經能夠實現全自動采集微區取向信息，樣品制備較簡單，數據采集速度快(能達到約36萬點/小時甚至更快)，分辨率高(空間分辨率和角分辨率能分別達到0.1和0.5，為快速定量統計研究材料的微觀組織結構和織構奠定了基礎，已成為材料研究中一種有效的分析手段。目前EBSD技術的應用領域集中于多種多晶體材料——工業生產的金屬和合金、陶瓷、半導體、超導體、礦石——以研究各種現象，如熱機械處理過程、塑性變形過程、與取向關系有關的性能（成型性、磁性等）、界面性能（腐蝕、裂紋、熱裂等）、相鑒定等。