1852年，格洛夫發現了陰極濺射，由于該方法要求工作氣壓高、基體溫升高和沉積速率低等，陰極濺射在生產中并沒有得到廣泛的應用。20世紀三十年代，J.Chapin發明了平衡磁控濺射，使高速、低溫濺射成為現實，磁控濺射真正意義上發展起來。
上世紀五十年代Schneider等采用離化濺射和平衡磁控濺射制備氧化鋁薄膜，當增加偏壓后，薄膜硬度是未加偏壓的2倍。
1981年Maniv等在基底和靶之間設置柵板，使反應氣體和Ar氣分隔兩側，極大地改善了遲滯。
上世紀九十年代，中國的牟宗信等采用非平衡磁控濺射技術在AZ31鎂合金基底上制備氮化硅薄膜，試樣表現出良好的耐腐蝕性能。
2008年Berg等通過建立模型分析發現，控制參數為反應氣體時，將靶材濺射面積控制到一定數值以下，遲滯現象就會消失。
2012年龔秋雨等采用中頻磁控濺射技術，制作了W、Al共摻雜含氫非晶碳薄膜。中頻磁控濺射與直流磁控濺射的區別是將直流磁控濺射電源改為交流中頻電源，濺射電源的頻率范圍處于10～80kHz范圍。
2013年，Jie Xiong等實驗發現，中頻交流磁控濺射相對于傳統的磁控濺射技術而言，它能為高絕緣材料提供穩定、無電弧、高沉積速率的鍍膜環境，這為薄膜的大批生產提供了潛在的商機。同時發現，脈沖磁控濺射采用矩形波電壓的脈沖電源代替傳統直流電源進行磁控濺射沉積，濺射沉積率可以大幅度提高，而且沉積溫度也比較低。
2015年F.Lisco等通過一種“光伏太陽能”濺射系統使用脈沖直流磁控濺射沉積Cds薄膜。
2016年H.Y.Dai等探究了采用不同功率的脈沖非平衡磁控濺射沉積非晶碳薄膜性能的影響，發現薄膜硬度在功率100～180W 之間增大，但在180 ～220W 之間減小。