第一步、休眠
第二步、恒流充電
以0.02C恒流充電270min，小電流充電目的使形成的SEI膜質量、界面更好,但形成的SEI膜不穩定，易與前面的分解產物發生反應，需進一步充電使SEI膜趨于穩定。
第三步、休眠
目的是使兩次充電有一個轉換過程,并達到消除極化的作用；
第四步、恒流充電
以0.1C充電到3.95V，在SEI膜基本形成后以稍大一點電流充，不但節約更多時間；且形成的SEI膜致密，熱穩定性更好，此時的SEI膜將電解液與石墨完全隔開，只許離子通過到達石墨層。但此時電壓不能充得太高易造成析鋰。