針對有機半導體粉料和金屬粉料蒸發溫度低的特點,設計并制作了新型低溫輻射式薄膜加熱蒸發器,通過對有機粉料的蒸發及濺射時樣片襯底的加熱實驗,取得了良好效果,通過觀測裝置,可以觀測到,薄膜監控測厚儀未能反映出的10納米薄膜厚度。其制作成本低,加熱效率高,同時又提高了設備功效;是一種多功能輻射式加熱器,在物理教學和相關的科研生產中有著廣泛的應用前景。在真空中使固體表面(基片)上沉積一層金屬、半導體或介質薄膜的工藝通常稱為真空鍍膜。早在19世紀,英國的Grove和德國的Plucker相繼在氣體放電實驗的輝光放電壁上觀察到了濺射的金屬薄膜,這就是真空鍍膜的萌芽。后于1877年將金屬濺射用于鏡子的生產;1930年左右將它用于Edison唱機錄音蠟主盤上的導電金屬。以后的30年,高真空蒸發鍍膜又得到了飛速發展,這時已能在實驗室只制造單層反射膜、單層減反膜和單層分光膜,并且在1939年由德國的Schott等人鍍制出金屬的Fairy-Perot干涉濾波片,1952年又做出了高峰值、窄寬度的全介質干涉濾波片。真空鍍膜技術歷經一個多世紀的發展,目前已廣泛用于電子、光學、磁學、半導體、無線電及材料科學等領域,成為一種不可缺少的新技術、新手段、新方法。
液相法
(a) 溶膠-凝膠法．該方法制備納米薄膜的基本步驟如下：首先用金屬無機鹽或有機金屬化合
物制備溶膠，然后將襯底(如SiO2玻璃襯底等)浸入溶膠后以一定速度進行提拉，結果溶膠附著在襯底上，經一定溫加熱后即得到納米微粒的膜．膜的厚度控制可通過提拉次數來控制。
液相法
(b) 電沉積法．一般Ⅱ-Ⅵ族半導體薄膜可用此法制備。
氣相法
高速超微粒子沉積法(氣體沉積法)．基本原理是用蒸發或濺射等方法獲得基本原理是：用蒸發或濺射等方法獲得超微粒子，用一定氣壓的惰性氣體作載流氣體，通過噴嘴，在基板上沉積成膜．
直接沉積法是當前制備納米薄膜普遍采用的方法，?基本原理：把納米粒子直接沉淀在低溫基片上．制備方法主要有三種：惰性氣體蒸發法、等離子濺射法和輝光放電等離子誘導化學氣相沉積法．基片的位置、氣體的壓強、沉淀速率和基片溫度是影響納米膜質量的重要因素．
光在復雜介質中的傳播是光學和相對論的經典課題。在愛因斯坦提出廣義相對論不久，W.Gordon，I.E.Tamm和G.V.Skrotskii等將費馬原理推廣到彎曲時空。1960年，J.Plebanski......
據社交媒體上的報道，臺灣半導體制造公司（TSMC）的工程師被要求在機器內部尋找一個相當有趣的紙條，以確保他們正確地清潔和檢查設備。臺積電是世界上最大的合同芯片制造商，每年生產成千上萬的半導體晶圓。它還......
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近日，英國宣布為芯片制造行業提供的10億英鎊（約12.5億美元）補貼。根據Politico本周的一份報告，據報道，英國首相里希·蘇納克（RishiSunak）將追隨美國和幾個歐洲國家政府的腳步，宣布一......
近日，中國科學院半導體研究所研究員劉志強等在氮化物材料外延研究領域取得新進展，揭示了氮化物范德華外延的物理本質，提出了二維材料輔助的氮化物外延生長基本準則，同時，提出了解決本領域關鍵科學、技術問題的方......
Q3的“芯片法案”落地不久，Q4的新一輪打壓就接踵而來，斷供設備，直擊要害。美國打著釜底抽薪的算盤，是鐵了心要壓制中國半導體的發展，想利用自身的技術優勢“卡中國脖子”卡到底。可能有人會問，為什么國內對......
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北京萊伯泰科儀器股份有限公司（股票代碼：688056.SH，以下簡稱“萊伯泰科”）在自主研發創新領域再獲重大突破。3月10日，“致知力行踵事增華--萊伯泰科半導體行業三重四極桿質譜新品發布會”在萊伯泰......
