在原子化過程中,當基體濃度大時,由于熱量不足,基體物質不能全部蒸發,一部分以固體微粒狀態存在,這些固體微粒,在光路中對光源輻射光產生散射,被散射的光偏離光路,形成假吸收,使到達檢測器的光強度減小其結果等價于一個分子吸收疊加在分析元素的原子吸收信號上。
散射對吸收線位于短波區的元素的測定影響較大,當基體濃度高時要注意散射的影響。在原子吸收光譜分析中,由分子吸收和光散射造成的干擾可以采用氘燈或塞曼效應校正背景,也可以采用鄰近非吸收線校正背景。
微粒散射光強度與微粒本身的大小和入射光的波長有關。根據微粒的大小可以將光散射分為三類:
(1)當物質微粒的直徑比測定波長小10倍時,產生瑞利散射。
光散射對分析線位于短波的元素,如As,Se,Zn,Cd,Ni,Pb等的影響比較大,特別是在樣品基體中濃度高,使用長光程火焰工作時,應格外注意光散射的影響。在200nm波長的光散射比300nm處要高5倍,比400nm處大16倍。
(2)當微粒的直徑與測定波長同數量級時,產生的光散射稱為Mie散射。散射光強度隨粒子增大而增強,它與波長的關系較復雜。在石墨爐原子吸收光譜分析中,微粒的散射主要是Mie散射。
(3)當微粒的直徑比測定波長大很多時,光散射與波長無關。此時在光路中只能起到擋光的作用。在石墨爐原子吸收光譜分析中,當使用的石墨管質量欠佳時,特別是測定高溫元素時,從石墨管壁剝落石墨微粒就屬這一類。
石墨爐原子吸收光譜分析中的光散射通常要比分子吸收小得多,分子吸收與光散射引起的干擾,最有效的消除方法是背景校正。