薄膜晶體管是一種絕緣柵場效應晶體管.它的工作狀態可以利用 Weimer 表征的單晶硅 MOSFET 工作原理來描 述.以 n 溝 MOSFET 為例,物理結構如圖 2. 當柵極施以正電壓時,柵壓在柵絕緣層中產生電場,電力線由柵電極指向半導體表面,并在表面處產生感應電 荷.隨著柵電壓增加,半導體表面將由耗盡層轉變為電子積累層,形成反型層.當達到強反型時(即達到開啟電壓 時) ,源,漏間加上電壓就會有載流子通過溝道.當源漏電壓很小時,導電溝道近似為一恒定電阻,漏電流隨源漏電 壓增加而線性增大. 當源漏電壓很大時,它會對柵電壓產生影響,使得柵絕緣層中電場由源端到漏端逐漸減弱,半導體表面反型層 中電子由源端到漏端逐漸減小,溝道電阻隨著源漏電壓增大而增加.漏電流增加變得緩慢,對應線性區向飽和區過 渡.當源漏電壓增到一定程度,漏端反型層厚度減為零,電壓在增加,器件進入飽和區.在實際 LCD 生產中,主 要利用 a-Si:H TFT 的開態(大于開啟電壓)對像素電容快速充電,利用關態來保持像素電容的電壓,從而實現快 速響應和良好存儲的統一.