用 X射線光電子能譜 ( XPS)對微波等離子體 ( MPCVD)合成的金剛石進行了 Ar離子濺射效應原位分析 .原始表面的 C1 s光電子峰位于 2 85 .80 e V,隨著濺射時間的延長 ,C1 s峰位向低結合能方向移動 ,1 h后移至 2 85 .40 e V.在濺射過程中 ,C1 s的半高峰寬 ( FWHM)由最初的 1 .80 e V增加到 2 .2 0 e V.C1 s峰的解疊結果表明經 Ar離子濺射后 ,金剛石表面出現了石墨態碳 ,而且其含量隨濺射的增強而增加 .由于 Ar離子的濺射 ,俄歇電子譜 ( XAES)也發生了明顯的變化 ,XAES微分特征距離 D值則由 1 4 .3 7e V增加到 1 9.3 4e V,同時 C的價帶電子譜 ( VBS)金剛石特征消失 ,這些結果補充證明了 Ar離子的濺射效應是誘導金剛石向石墨轉化 .