用交替濺射的方法制備銅銦鎵硒薄膜太陽能電池預置層。通過可變占空比的電源控制器實現對Cu/Ga合金靶以及In靶濺射時間的控制，進而實現對最后元素配比的控制。實驗中發現，在一個濺射周期中，Cu/Ga合金靶濺射時間對最后成分影響最大，其次是In靶濺射時間，非濺射時間的長短對成分也有影響。交替濺射制備的銅銦鎵硒預置層經過XRD檢測，合金相主要為Cu11In9。
“濺射金屬預制層再硒化、硫化”所生產的CIGSSe薄膜太陽電池是世界上技術最先進、工業化生產最成熟的第二代光伏產品。CIGSSe薄膜是由銅、銦、硒等金屬元素組成的直接帶隙化合物半導體材料，其對可見光的吸收系數為所有薄膜電池材料中最高的，而原材料的消耗卻遠低于傳統晶體硅太陽電池。與高效率高成本的晶體硅太陽電池和低效率低成本的非晶硅太陽電池相比，CIGSSe太陽電池具有高效率低成本長壽命的多重優勢，是最有希望降低光伏發電成本的高效薄膜太陽電池，并且它可以充分利用我國豐富的銦資源，是真正符合國家法規鼓勵條款的適合中國國情的可再生能源技術，具有廣闊的發展前景。