PHITRIFTVnanoSIMS飛行時間二次離子質譜儀

飛行時間二次離子質譜（TOF-SIMS）是一種表面敏感的技術，提供表面分子，元素及其同位素前幾個原子層的組成圖像。所有元素和同位素，包括氫氣都可以用飛行時間二次離子質譜分析。在理論上，該儀器可以在一個無限大的質量范圍內提供很高的質量分辨率（在實踐中通常是大約10000amu）。

PHI TRIFT V nano飛行時間質譜儀?

PHI TRIFT V（三次對焦飛行時間）飛行時間質譜是一種高傳輸、并行檢測儀器，其目的是由主脈沖離子束轟擊樣品表面所產生的二次離子可以得到zei佳的收集狀態，并可同時用于有機和無機表面特征分析。

TRIFT分析儀的工作原理會把離子在光譜儀中不斷的重新聚焦,使二次離子質譜允許更多重大的實驗得以進行。主離子束zei先進的設計，允許經由計算機控制去同時達到高橫向分辨率的成像和高質量的圖譜分辨率。

PHI TRIFT V nanoTOF?是第五代SIMS儀器，該儀器具有獨特的專利時間飛行（TOF）分析儀，它擁有市場上TOF-SIMS儀器中zei大的角度和能量接受標準，實現了高空間分辨率質量分辨率和使用具有優良離子傳輸能力的三重重點半球形靜電分析器。PHI TRIFT V nanoTOF?還具有很高的能力，可以圖像具有非常復雜的幾何形狀的樣本而沒有陰影。

特點：

l   廣大的收集角度和景深立體角：此優點體現在上面的圖片。圖片可以清楚觀察到，由主離子束探測到的信號是從樣品所有部位收集來的。即使在彎曲的表面，如頭發，信號以統一強度來采集同時保持能力解決這樣的小特征，如個別毛干上的角質層。

l   單束C60深度剖析：PHI C60離子的小光束直徑探針是獨特的，有利于特定的化學分子離子的微米級特征成像。此外，結合擴展的配置范圍和經單束C60深度剖析改進的二次離子產量深讓分析師有獨特的有機深度剖析能力與zei高靈敏度的二次離子結構。

l   低背景和亞穩抑制：下面數據說明了TRIFT質譜儀在亞穩態拒絕(Metastable Rejection) 的固有能力。一個比較Reflectron和TRIFT為基礎的分析儀所取得的聚（四氟乙烯）和（聚四氟乙烯）的質譜顯示了在沒有減少二次離子信號下TRIFT分析儀優秀的抗亞穩態干擾能力。事實上，也增強了化學成像的能力，因為二次離子信號沒有迭加在非化學的背景信號上。

l   加熱和冷卻的完整5軸樣品運行：完整的X，Y，Z軸旋轉和傾斜運動可同時把樣品加熱到（RT至+600oC）或冷卻（-130至+150oC）。加熱或冷卻工序在樣品引入，轉換，取樣時的溫度監測和控制在沒有任何中斷的情況下完成。樣品臺提供X和Y軸+/-50毫米運行范圍和1μm的分辨率和20毫米的Z軸行程和2微米的分辨率，同時保持優于±2℃樣品溫度的控制。

l   雙束電荷中和的絕緣體分析：采用專利技術的nanoTOF的電荷中和采用了雙束的方法，非常低能量的離子束和電子束。由飛行時間二次離子質譜儀器從一件表面安裝了碳磁帶的批量聚合物所獲得的數據。即使樣品是厚，奇形的絕緣體，使用雙光束電荷中和也可以得到高分辨率數據。

l   脈沖二次電子成像：nanoTOF的TRIFT分析儀的設計，是唯一能夠從絕緣和導電標本收集脈沖 SE圖像的儀器。通過脈沖模式（質譜操作）偏轉主離子生成的二次電子(相對較重的二次離子有較高的速度比) 到位于分析儀SED里面，同時通過雙重多通道板（DMCP）探測器。

l   FIB - TOF三維材料特性：TRIFT分析儀的內在特性可以通過成像FIB銑削坑的垂直型墻而不必傾斜樣品。因此，材料的全3D特性化在連續FIB銑削和TOF-SIMS采集周期是可能的，而其三維圖像重建也可以非常簡單，因為樣本在FIB銑削和TOF-SIMS數據采集期間是不需要移動的。

l   原始文件的回溯性數據分析：用戶可以選擇四種不同的模式來進行數據解釋：（1）總離子圖，（2）總面積譜，（3）區域性質譜，（4）特定離子分布。

應用：

l  油漆和OLED材料：油漆層和缺陷層內的特征化，高質量碎片特點化。

l  薄膜和涂料：分析有機涂層，有機和無機涂料的成像分布。

l  無機及半導體設備：晶圓工藝殘渣物，缺陷分析，蝕刻/清潔殘留分析，微量金屬污染物留在晶圓工藝；三維成像表征摻雜元素。

l  磁存儲：殘留物留在媒體的地表，來自于工藝的污染，包括有機和無機物，故障分析，潤滑分析。

l  擁有控制藥物釋放涂料的藥物：藥物截面成像，新的藥物釋放涂層的表征與發展。

l  組織橫截面分析：研究組織和細胞。

　　技術指標：

　　Mass Resolution for low mass ion > 11.500M / ΔM for Si (28SiH+)

　　Mass Resolution for insulator > 10,000M / ΔM for PET (m/z 104amu)

　　Options C60 gun, cesium gun, oxygen gas gun, Hot/Cold stage, Transfer Vessel, 300mm stage, etc.

　　Standard Features

　　TRIFT質量分析器

　　30 kV LMIG with Bi, Au, or Ga emitter

　　Dual beam charge neutralization 雙離子束電荷中性化

　　5 axis sample stage 5 軸樣品臺

　　In-situ optical viewing

　　Secondary electron detector

　　WinCadence instrument control and data reduction software package

　　Analysis chamber with four primary ion gun ports

　　350 L/秒抽速分子渦輪泵

　　Integrated bakeout facilities

　　可選附件

　　20 kV C60 pulsed ion gun

　　20 kV Ar2500+ gas cluster ion gun

　　2 kV Cs ion gun

　　5 kV gas gun (Ar/O2)

　　Oxygen flood module

　　30 kV Ga FIB gun

　　Hot/Cold sample stage module

　　Flash cooling for sample intro chamber

　　High temperature sample stage module

　　Sample transfer vessel

　　Intro chamber glove box

　　Voltage cycling sample stage module

　　Sample preparation chamber