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掃描式電子束曝光系統可以得到極高的分辨率，但其生產率較低，不能滿足大規模生產的需要。成形束系統生產率固然有所提高，但其分辨率一般在0.2μm左右，難以制作納米級圖形。近年來研發的投影電子束來曝光系統，既能使曝光分辨率達到納米量級，又能大大提高生產率，且不需要鄰近效應校正。在研制中的投影式電子束曝光系統主要有兩種。 一種是Lucent公司的SCALPEL系統，平行電子束照射到SiNx薄膜構成的掩模上，薄膜上的圖形層材料為W/Cr。當電子穿透SiNx和W/Cr兩種原子序數不同的材料時，產生大小不同的散射角。在掩模下方縮小透鏡焦平面上設置大小一定的光闌時，通過光闌孔的主要是小散射角的電子，而大散射角的電子則大多數被遮擋，于是在工件面上得到了縮小的掩模圖形。再經過分布重復技術，將縮小圖形逐塊拼接成所要的圖形。近期采用散射型掩模取代了吸收型鏤空掩模，以及采用角度限制光闌技術使SCALPEL技術得到迅速的發展，故投影電子束掃描系統極可......閱讀全文
3 X射線光學表征3.1 100 nm分辨率波帶片的聚焦特性100 nm波帶片的光學聚焦特性在上海光源同步輻射BL15U1線站進行了光學表征。圖 22是光學測試系統(圖 22(a))和光路示意圖(圖 22(b))。X射線的能量是10 keV，波帶片的第一環直徑為3.46 μm，總共有300個波帶
經常聽說，高端光刻機不僅昂貴而且還都是國外的，那么什么是光刻機呢？上篇我們聊了從原材料到拋光晶片的制成過程，今天我們就來聊聊什么是光刻～第一步驟的晶體生長機晶片的制造，我們上篇已經聊過了。今天我們要聊的是光刻，我們先簡單聊一聊硅的氧化（熱氧化），刻蝕的話我們后面再講。硅的氧化其中包含了在分立器件和集