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以前，只有晶格非常匹配的材料能被整合在一個芯片層上。據美國麻省理工學院（MIT）網站27日報道，該校研究人員開發了一種全新的芯片制造技術，可將兩種晶格大小非常不一致的材料——二硫化鉬和石墨烯集成在一層上，制造出通用計算機所需的電路元件芯片。最新研究或有助于功能更強大計算機的研制。 在實驗中，研究人員先將一層石墨烯鋪在硅基座上，再將希望平鋪二硫化鉬處的石墨烯蝕刻掉，在基座的一端放置一根由PTAS材料制成的固體條，接著，加熱PTAS并讓氣體流經它穿過基座。氣體會攜帶PTAS分子并附著到暴露的硅上，但不會附著在石墨烯上。當PTAS分子附著時，會催化同其他氣體的反應，導致一層二硫化鉬形成。 研究人員將論文發表在最新一期《先進材料》上。論文第一作者、MIT電子研究實驗室的凌熙（音譯）說：“新芯片內的材料層僅1到3個原子厚，有助于制備出超低能耗的隧穿晶體管處理器，從而制造出功能更強大的計算機。最新技術也有助于將光學元件整合進計算機芯......閱讀全文
賓夕法尼亞大學的研究人員研究出了可控的、導電能力能被開啟和關閉的、能夠自發光的硅的替代品——二硫化鉬。 石墨烯，一種單原子厚度的碳原子晶格材料，由于其極高的導電性和無與倫比的薄而經常被吹捧作為硅的替代品用在電子器件領域。但石墨烯并不是唯一能夠扮演這樣角色的二維材料。 賓夕
單層石墨烯（上）激發了科學家探索半導體單晶材料——如二維黑磷單晶（中）和二硫化鉬（下）——的熱情。 通常情況下，膠帶不會被看作是一種具有科學突破性的進展。但是當英國曼徹斯特大學物理學家安德烈·蓋姆（Andre Geim）和康斯坦丁·諾沃肖羅夫（Konstantin Novoselov）（兩人在
圖1. 非對稱范德華異質結器件結構示意圖圖2.（a）非對稱范德華異質結器件在不同外界電場條件下的光電流；（b）器件工作為非易失性存儲和可編程整流器時的特性曲線。 在國家自然科學基金項目（項目編號：61625
近日，中國科學技術大學合肥微尺度物質科學國家實驗室博士后陳偉，與美國田納西大學、中國科學院物理研究所、北京大學等研究機構的同行合作，揭示了弱的范德瓦爾斯力與強的界面化學鍵在決定生長過程中二維材料相對于襯底晶格的取向時所起的關鍵協同作用。相關研究成果于11月10日在線發表在《美國科學院院刊》上，陳
二維層狀晶體材料，比如石墨烯和二硫化鉬（MoS2）等，具有優良的電學性能和光學性能，因此被期待可用來發展更薄、導電速度更快的新一代電子元件、晶體管和光電器件。近幾年來，平面內各向異性的二維晶體材料，如黑磷(BP)，二硫化錸(ReS2)和二硒化錸(ReSe2)等，由于其具備的獨特性質和在納米器件方
近年來，二維范德華材料如石墨烯、二硫化鉬等由于其獨特的結構、物理特性和光電性能而被廣泛研究。在二維材料的研究領域中，磁性二維材料具有更豐富的物理圖像，并在未來的自旋電子學中有重要的潛在應用，越來越受到人們的關注。摻雜是實現二維半導體能帶工程的重要手段，如果在二維半導體材料中摻雜磁性原子，則這些材
二維原子晶體材料的功能化對實現其在光電、催化、新能源以及生物醫學等領域中的應用具有重要意義。在實現二維材料功能化方面，結構圖案化調控是其中一個重要手段。之前，人們利用電子/離子束刻蝕、元素摻雜等手段實現了二維材料的圖案化。圖案化的二維材料則呈現出了許多新的物理性質，例如“納米網狀”石墨烯的半導體
近日，中科院山西煤炭化學研究所科研人員與美國拉斯維加斯內華達大學、四川大學、北京低碳清潔能源所等合作，在高壓條件下合成新型二氮化鉬化合物，其在催化加氫研究中展示出良好的應用前景。 富氮過渡金屬氮化物最有希望成為下一代清潔能源與再生能源的高效催化材料。然而，將氮原子滲入過渡金屬的晶格內形成氮化物
近日，中科院金屬所研究人員利用范徳華人工堆垛技術，在少數原子層硫化鉬與金屬電極之間插層高質量六方氮化硼（h-BN）隧穿結構，成功制造出能夠通過門電壓調制的雙極反向整流器件。 該項研究工作由沈陽材料科學國家（聯合）實驗室磁學與磁性材料研究部研究員張志東與韓拯主持，國內外多家科研單位共同合作完成
自20世紀60年代以來，電子電路上可容納的元器件數量每兩年便增加一倍，這種趨勢就是著名的摩爾定律。隨著晶體管越來越小，硅芯片上可容納的元器件數量在不斷增加。但目前看來，硅晶體管正接近它的物理極限。只有開發出全新類型的材料和設備，才能釋放下一代計算機的潛力。單分子厚晶體管芯片或許能用來驅動下一代計