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近日，固體所鄭小宏研究員小組與加拿大麥吉爾大學、山西大學等單位合作，在基于二維垂直異質結構獲得完全自旋極化電流的研究中取得新的進展，相關結果發表在Nanoscale（Nanoscale 10, 174-183 (2018))上。圖1. (a) h-BN/graphene/h-BN垂直異質結構；(b) h-BN/graphene/h-BN垂直異質結構能帶圖。圖2.(a) BN納米帶作用在中間graphene層的有效勢；(b) 偏壓下，光電流隨光子能量變化。 如何獲得完全自旋極化輸運一直是自旋電子學中重要的研究課題。二維材料中的自旋極化研究，最早在具有鋸齒形邊沿的石墨烯納米帶中通過施加橫向電場得到，之后又相繼提出了多種手段，如邊沿修飾、B-N共摻雜等手段得以實現。這些研究手段可以分為兩類：一類是利用電場調控，另一類是基于化學修飾。然而，基于電場調控或化學修飾在石墨烯納米帶中實現完全自旋極化輸運的方案，要么實驗室無法達到這么高......閱讀全文
在國家自然科學基金委、科技部和中國科學院有關項目基金的支持下，中科院半導體研究所超晶格國家重點實驗室研究員王開友課題組及其合作者，在室溫無外加磁場條件下，利用電場-電流的方法成功實現了垂直鐵磁器件的自旋可控翻轉，該工作發表在國際期刊《自然-材料》（Nature Materials，DOI:10.
基于自旋的數據存儲和運算技術是解決大數據時代計算能力不足和存儲空間不夠的優選方案之一。而磁隨機存儲器和自旋邏輯器件分別是自旋電子學可以明確針對存儲和邏輯運算兩方面挑戰難題而提出的對應關鍵技術。它們兩者共同的物理和器件基礎是：(1)高磁電阻比值的磁性隧道結材料和(2)電流驅動的磁矩翻轉機理。后者還
熱自旋電子學亦稱自旋卡諾電子學，作為自旋電子學的一個重要分支，因在微電子器件廢熱再利用等方面的應用前景而迅速興起。其中，自旋塞貝克效應(SSE)、自旋依賴的塞貝克效應(SDSE)、反常能斯特效應(ANE)等與自旋相關熱電效應，因其背后撲朔迷離的物理機制，而備受關注。Uchida等人【Nature