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美國麻省理工學院和哈佛大學的研究人員發現，單層二硫化鉬半導體在光激發下導電能力下降。利用這一新的光電導機制有望研制下一代激子設備。該發現發表在近日的《物理評論快報》上。 眾所周知，電腦芯片及太陽能電池中使用的硅半導體在光的照射下，其導電能力增強。麻省理工學院和哈佛大學的研究人員發現，在強烈的激光脈沖照射下, 只有三個原子厚的單層二硫化鉬的電導率會減少到最初電導率的三分之一。該研究小組利用光學激光脈沖形成該效應，并利用時滯太赫茲脈沖來檢測材料的導電響應。 研究人員表示，這是半導體光電導的新機制，此前從未觀察到。雖然曾報道某些半導體系統存在負光電導性，但大多是由于外在因素，如缺陷等，而目前的發現則是晶體的內在屬性。 當光激發半導體時其導電率會增加，因為光吸收后，可形成松散的電子和空穴對，使電流通過材料比較容易。這種現象是設計和優化太陽能電池及數碼相機等光電設備的基礎。 層狀原子晶體是近年來熱門的研究課題，這些材料有一個顯......閱讀全文
近期，中國科學院上海光學精密機械研究所微納光電子功能材料實驗室研究員王俊課題組在二硫化鉬（MoS2）簡并雙光子吸收的層數依賴特性研究方面取得進展，為過渡金屬硫化物的非線性光學性質研究以及在光子學方面的應用提供了理論和實驗指導。相關研究成果發表于Photonics Research 7, 762-