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碳化硅(SiC)在大功率、高溫、高頻等極端條件應用領域具有很好的前景。但盡管商用4H-SiC單晶圓片的結晶完整性最近幾年顯著改進，這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。經研究證實，晶圓襯底的表面處理時間越長，則表面缺陷率也會跟著增加。 碳化硅(SiC)兼有寬能帶隙、高電擊穿場強、高熱導率、高載流子飽和速率等特性，在大功率、高溫、高頻等極端條件應用領域具有很好的前景。盡管商用4H–SiC單晶圓片的結晶完整性最近幾年顯著改進，但這些晶圓的缺陷密度依然居高不下。 經研究證實，晶圓襯底的表面處理時間越長，則表面缺陷率也會跟著增加。表面缺陷嚴重影響SiC元件品質與矽元件相比，碳化硅的能帶隙更寬，本征載流子濃度更低，且在更高的溫度條件下仍能保持半導體特性，因此，采用碳化硅材料制成的元件，能在比矽元件更高的工作溫度運作。碳化硅的高電擊穿場強和高熱導率，結合高工作溫度，讓碳化硅元件取得極高的功率密度和能效。 如今，碳化硅晶圓品質和元......閱讀全文
其他儀器方面，本實驗使用Nanometrics公司的Stratus傅立葉變換紅外光譜儀(FT-IR)測量樣品厚度。表面分析實驗則使用Dimension 3100原子力顯微鏡(AFM)。顯微鏡為接觸測量模式，裝備一個單晶矽針尖。為取得更大的掃描區域，掃描尺寸是90×90μm2，掃描
發改委網站2011年10月20日刊文，由發改委、科技部、工信部、商務部、知識產權局聯合研究審議的 《當前優先發展的高技術產業化重點領域指南(2011年度)》，現予以發布。《指南》確定了當前優先發展的信息、生物、航空航天、新材料、先進能源、現代農業、先進制造、節能環保和資源綜合利用、海洋、高技
9月21日 北京市科委正式對外發布了2018年度 首都科技領軍人才培養工程 和北京市科技新星計劃 入選人員名單 領軍人才工程 領軍人才工程是《首都中長期人才發展規劃綱要(2010-2020)年》確定的十二項重點人才工程之一，是針對50周歲以下的中青年科技帶頭人，突出對領軍人才自身發展
近日，工業和信息化部辦公廳、國防科工局綜合司兩部門印發《軍用技術轉民用推廣目錄(2018年度)》的通知。 原文如下： 教育部、中科院辦公廳，各省、自治區、直轄市工業和信息化主管部門（國防科工辦），各軍工集團公司，中國工程物理研究院，部屬各高校，部屬相關單位： 為貫徹落實《國務院辦公廳關于推
摘要：傳統硅基MOSFET技術日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導體的電、熱和機械特性更好，能夠提高MOSFET的性能，是一項關注度很高的替代技術。商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動等電