長春光機所半導體激光點火技術取得技術突破
中科院長春光機所發光學及應用國家重點實驗室以單肖楠副研究員為負責人的半導體激光點火研究團隊，在王立軍院士的指導下，在激光點火光路檢測技術、微型透鏡金屬化整形技術、小體積集成化封裝技術等方面取得突破。 近日，該團隊繼2008年進行某系統研制以來，應用激光點火技術開展的某項目進行了激光點火地面聯調試驗。試驗中各路激光器工作穩定，成功完成了試驗任務，進一步鞏固了我所在半導體激光點火應用方面的優勢地位，為多個型號的裝備應用奠定了基礎。 半導體激光點火系統 半導體激光點火技術研究團隊......閱讀全文
半導體變流器
導體變流器是使用半導體閥器件的一種電力電子變流器，使電源系統的電壓、頻率、相數和其他電量或特性發生變化的電器設備。 定義 使用半導體閥器件的一種電力電子變流器。 術語 ①類似術語也適用于由具體類型的半導體或其他電子閥件組成的變流器或具體類型的變流器。例如晶閘管變流器，汞弧整流器，晶體管
半導體所揭示半導體界面電荷轉移機理
與傳統的太陽能電池相比，染料敏化太陽能電池具有原材料豐富、生產過程中無毒無污染、生產成本較低、結構簡單、易于制造、生產工藝簡單、易于大規模工業化生產等優勢，在清潔能源領域具有重要的應用價值。在過去二十多年里，染料敏化太陽能電池吸引了世界各國眾多科學家的研究，在染料、電極、電解質等各方面取得了很大
半導體電學測量
? 對于半導體材料的電阻率，一般采用四探針、三探針和擴展電阻。?????四探針法是經常采用的一種，原理簡單，數據處理簡便。測量范圍為10-3-104 防 米， 能分辨毫米級材料的均勻性，適用于測量半導體材料、異型層、外延材料及擴散層、離 子注入層的電阻率，并能夠提供一個迅速的、不破壞的、較準確的測量
AFM測半導體
半導體加工通常需要測量高縱橫比結構,像溝槽和孔洞,確定刻蝕深度。然而如此信息用SEM 技術是無法直接得到的,除非將樣品沿截面切開。AFM 技術則恰恰彌補了SEM 的這一不足,它只掃描試樣的表面即可得到高度信息,且測量是無損的,半導體材料在測量后即可返回到生產線。AFM 不僅可以直觀地看到光柵的形貌,
半導體的特性
半導體的導電性能比導體差而比絕緣體強。實際上，半導體與導體、絕緣體的區別在不僅在于導電能力的不同，更重要的是半導體具有獨特的性能（特性）。?1． 在純凈的半導體中適當地摻入一定種類的極微量的雜質，半導體的導電性能就會成百萬倍的增加—-這是半導體zui顯著、zui突出的特性。例如，晶體管就是利用這種特
半導體參數儀
半導體參數儀是一種用于物理學領域的科學儀器，于2015年9月17日啟用。 4200-SCS/F半導體特性分析系統主機，2個高分辨率中功率SMU 最大電流100mA，最大電壓200V，最大功率2W 4200-SMU高分辨率中功率SMU（源測量單元） 最大電流100mA；最大電壓200V；最大功能
解析半導體晶閘管
認識半導體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅。1957年美國通用電氣公司開發出世界上第一款晶閘管產品，并于1958年將其商業化。晶閘管是PNPN四層半導體結構，形成三個PN結，分別稱：陽極，陰極和控制極。圖 晶閘管的結構晶閘管在工作過程中，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接
聚焦半導體 韓國啟動半導體產業人才培養工程
韓國《中央日報》發布消息稱，韓國產業通商資源部近日舉辦了“半導體原材料、零件、技術裝備人才培養工程”啟動儀式。產業部表示，將開展培養半導體原材料、零件、技術裝備等相關人才培養的教育課程，并計劃通過該工程在5年間培養300名（每年60人）高級研發人員。 據了解，該人才培養工程由韓國半導體產業協會
半導體所二維半導體磁性摻雜研究取得進展
近年來，二維范德華材料如石墨烯、二硫化鉬等由于其獨特的結構、物理特性和光電性能而被廣泛研究。在二維材料的研究領域中，磁性二維材料具有更豐富的物理圖像，并在未來的自旋電子學中有重要的潛在應用，越來越受到人們的關注。摻雜是實現二維半導體能帶工程的重要手段，如果在二維半導體材料中摻雜磁性原子，則這些材
半導體粉末電阻率測試可以測量固體半導體材料
本儀器是為了適應當前迅速發展中的高分子半導電納米材料電阻率測試需要,參照有關國際標準設計的。儀器的電流輸出為 10 μA - 100 mA,電阻率測試范圍為10-2 -105Ωcm ，直接采用數字顯示。儀器的可靠性和穩定性大大增強，更方便于用戶， 而且價格低廉、實惠。配置不同的測試架可以對半導體粉末