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根據研究機構Lux Research報告顯示，受太陽能模組的下游需求驅動，寬禁帶半導體——即碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)將引領太陽能逆變器隔離器市場在2020年達到14億美元，意味著其穩定的復合增長率(CAGR)達到7%，略低于可再生能源和基于電網的能源設備的復合增長率9%。隨著GaN 和SiC器件進入市場，將為小型系統帶來最大的競爭優勢，如用于住宅和商業太陽能設施的微型逆變器和小型串式逆變器。這些強大的優勢包括：更低的均化電力成本，提升通過租賃和電力購買協議而銷售的電能利潤，此外，這些器件還能改善性能和可靠性。 “采用寬禁帶半導體即碳化硅和氮化鎵，是太陽能逆變器的制勝之道，”Lux Research分析師Pallavi Madakasira表示，“采用SiC和GaN器件帶來的性能優勢是如此之多，以至于逆變器廠商能夠在顯著降低均化電力成本的同時，收取更高的價格。” GaN和SiC器件優勢大點兵 ......閱讀全文
最近接連有消息報道，在美國和歐洲，氮化鎵和碳化硅技術除了在軍用雷達領域和航天工程領域得到了應用，在電力電子器件市場也有越來越廣泛的滲透。氮化鎵/碳化硅技術與傳統的硅技術相比，有哪些獨特優勢？ 大家最近都在談論摩爾定律什么時候終結？硅作為半導體的主要材料在摩爾定律的規律下已經走過了50多
一、指南方向與內容 1.太陽能發電 1.1噴墨打印制備超細柵電極太陽電池中試線關鍵技術研究 下設1個研究方向。 1.1.1噴墨打印制備超細柵電極太陽電池中試線關鍵技術研究(前沿技術類，國撥經費控制額1000萬元，企業牽頭) 研發適用于晶硅、薄膜等不同類型太陽電池的低
近日，科技部高新司在廈門組織召開了“十二五”國家863計劃“基于國產寬禁帶電力電子器件的光伏逆變器研制及示范應用”項目驗收會。 項目以實現碳化硅和氮化鎵光伏逆變器的示范應用為最終目標，開發了低缺陷SiC外延生長技術、攻克了氮化鎵二極管及增強型氮化鎵三
第三代 半導體材料——氮化鎵( GaN)，作為時下新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優勢。與硅器件相比，GaN在 電源轉換效率和功率密度上實現了性能的飛躍，廣泛應用于 功率因數校正(PFC)、軟開關 DC-DC等電源系統設計，以及電源適配器、光伏 逆變器或 太陽能逆變器、服務
轉換和電源管理應用越來越需要具有可靠性、耐久性和準確性的電流傳感器。下一代電子設備將面臨重大的技術挑戰，這將影響電源管理性能和效率。必須仔細選擇用于監測負載吸收的功率以及控制和保護電源所需的電流傳感器，在霍爾效應傳感器、變壓器、并聯電阻器或AMR傳感器中，不時選擇最shi合具體應用的解決方案。根