波克爾斯效應和克爾效應的區別
波克爾斯效應和克爾效應的區別在于：波克爾斯效應是與電場大小成正比，而克爾效應則是與電場大小的平方成比例的。......閱讀全文
波克爾斯效應和克爾效應的區別
波克爾斯效應和克爾效應的區別在于：波克爾斯效應是與電場大小成正比，而克爾效應則是與電場大小的平方成比例的。
波克爾斯效應和克爾效應的區別
波克爾斯效應和克爾效應的區別在于：波克爾斯效應是與電場大小成正比，而克爾效應則是與電場大小的平方成比例的。
波克爾斯效應和克爾效應的區別
波克爾斯效應和克爾效應的區別在于：波克爾斯效應是與電場大小成正比，而克爾效應則是與電場大小的平方成比例的。
泡克爾斯效應的定義
泡克爾斯效應（英語：Pockels effect）是指光介質在恒定或交變電場下產生光的雙折射效應，這是一種線性電--光效應，其折射率的改變和所加電場的大小成正比 。
泡克爾斯效應的概念
泡克爾斯效應（英語：Pockels effect）是指光介質在恒定或交變電場下產生光的雙折射效應，這是一種線性電--光效應，其折射率的改變和所加電場的大小成正比 。
什么是泡克爾斯效應？
泡克爾斯效應（英語：Pockels effect）是指光介質在恒定或交變電場下產生光的雙折射效應，這是一種線性電--光效應，其折射率的改變和所加電場的大小成正比。
泡克爾斯（Pockels）效應的原理
假設極化強度P與所加電場有線性關系，但這是一級近似。事實上電場與材料的介電常量，對于光頻場，也就是材料折射率n，有此關系：n=n0+aE0+bE02+···。式中：n0是沒有加電場E0時介質的折射率；a、b是常數。這種由于外加電場所引起的材料折射率的變化效應，稱為電光效應（electro-optic
克爾效應介紹
也稱為二次電光（QEO）效應的克爾效應是材料響應于所施加的電場的折射率的變化。 克爾效應與普克爾效應不同，因為誘導的指數變化與電場的平方成正比，而不是線性變化。 所有材料顯示克爾效應，但某些液體比其他液體顯示更強烈。 克爾效應于1875年被蘇格蘭物理學家約翰·克爾（John Kerr）發現。通常考慮
克爾效應簡介
在外電場作用下，液體就成為光學上的單軸晶體，其光軸同電場方向平行。通常的作法是：把液體裝在玻璃容器中，外加電場通過平行板電極作用在液體上，光垂直于電場方向通過玻璃容器，以觀察克爾電光效應。這種裝置稱為克爾盒。這時兩個主要折射率n0與ne，分別稱為正常與反常折射率。容器中的液體稱為正或負雙折射物質，取
克爾效應的定義
指與電場二次方成正比的電感應雙折射現象。放在電場中的物質，由于其分子受到電力的作用而發生取向（偏轉），呈現各向異性，結果產生雙折射，即沿兩個不同方向物質對光的折射能力有所不同。 這一現象是1875年J.克爾發現的。后人稱它為克爾電光效應，簡稱克爾效應。
克爾效應的概念
指與電場二次方成正比的電感應雙折射現象。放在電場中的物質，由于其分子受到電力的作用而發生取向（偏轉），呈現各向異性，結果產生雙折射，即沿兩個不同方向物質對光的折射能力有所不同。 這一現象是1875年J.克爾發現的。后人稱它為克爾電光效應，簡稱克爾效應。
什么是克爾效應？
指與電場二次方成正比的電感應雙折射現象。放在電場中的物質，由于其分子受到電力的作用而發生取向（偏轉），呈現各向異性，結果產生雙折射，即沿兩個不同方向物質對光的折射能力有所不同。 這一現象是1875年J.克爾發現的。后人稱它為克爾電光效應，簡稱克爾效應。
克爾磁光效應簡介
克爾磁光效應線偏振光入射到磁化媒質表面反射出去時，偏振面發生旋轉的現象。也叫克爾磁光效應或克爾磁光旋轉。這是繼法拉第效應發現后，英國科學家J.克爾于1876年發現的第二個重要的磁光效應。按磁化強度和入射面的相對取向，克爾磁光效應包括三種情況：極向克爾效應, 即磁化強度 M 與介質表面垂直時的克爾效應
光學克爾效應簡介
光學克爾效應，或AC克爾效應是指其電場由光本身所產生的情況。這導致變異的折射率與輻射光本身的輻照度成正比。這種折射率的變化導致了的非線性光學效應的自聚焦、自相位調制以及調制不穩定性，并且是克爾透鏡鎖模的基礎。此效應僅在非常強烈的光束下才能較明顯的表現出來，比如激光。
克爾效應理論介紹
克爾電光效應對于非線性材料，電動極化場p只會取決于電場：其中ε0是真空介電常數，?是電極化率的n階的組成部分。“：”符號代表了矩陣之間的內積。我們可以更明確的描述這種關系，第i次組成的向量P可以表示為：式中，i=1,2,3。通常假設?，即部分平行為x的極化場；?等等。材料表現出不可忽視的克爾電光效應
克爾效應的理論介紹
克爾電光效應對于非線性材料，電動極化場p只會取決于電場：其中ε0是真空介電常數，?是電極化率的n階的組成部分。“：”符號代表了矩陣之間的內積。我們可以更明確的描述這種關系，第i次組成的向量P可以表示為：式中，i=1,2,3。通常假設?，即部分平行為x的極化場；?等等。材料表現出不可忽視的克爾電光效應
克爾效應的概念簡介
在外電場作用下，液體就成為光學上的單軸晶體，其光軸同電場方向平行。通常的作法是：把液體裝在玻璃容器中，外加電場通過平行板電極作用在液體上，光垂直于電場方向通過玻璃容器，以觀察克爾電光效應。這種裝置稱為克爾盒。這時兩個主要折射率n0與ne，分別稱為正常與反常折射率。容器中的液體稱為正或負雙折射物質，取
磁光克爾效應簡介
在磁光克爾效應，根據反映的磁材料具有輕微旋轉偏振平面。它類似于法拉第效應下的兩極分化的透光旋轉。
什么是克爾磁光效應？
線偏振光入射到磁化媒質表面反射出去時，偏振面發生旋轉的現象。也叫克爾磁光效應或克爾磁光旋轉。這是繼法拉第效應發現后，英國科學家J.克爾于1876年發現的第二個重要的磁光效應。按磁化強度和入射面的相對取向，克爾磁光效應包括三種情況：極向克爾效應, 即磁化強度 M 與介質表面垂直時的克爾效應;橫向克爾效
克爾效應實驗的實驗原理
各向同性的介質如玻璃，石蠟，水，硝基苯等，在強電場作用下會表現出各向異性的光學性質，表現出雙折射現象。折射率差與電場強度的平方成正比，稱為克爾效應。在兩平行平板之間加上高電壓，在電場作用下，由于分子的規律排列，這些介質就表現出象單軸晶體那樣的光學性質，光軸的方向就與電場的方向對應。當線偏振光沿著與電
克爾效應實驗的實驗原理
各向同性的介質如玻璃，石蠟，水，硝基苯等，在強電場作用下會表現出各向異性的光學性質，表現出雙折射現象。折射率差與電場強度的平方成正比，稱為克爾效應。在兩平行平板之間加上高電壓，在電場作用下，由于分子的規律排列，這些介質就表現出象單軸晶體那樣的光學性質，光軸的方向就與電場的方向對應。當線偏振光沿著與電
克爾效應實驗的實驗原理
各向同性的介質如玻璃，石蠟，水，硝基苯等，在強電場作用下會表現出各向異性的光學性質，表現出雙折射現象。折射率差與電場強度的平方成正比，稱為克爾效應。在兩平行平板之間加上高電壓，在電場作用下，由于分子的規律排列，這些介質就表現出象單軸晶體那樣的光學性質，光軸的方向就與電場的方向對應。當線偏振光沿著與電
光學克爾效應的概念介紹
光學克爾效應，或AC克爾效應是指其電場由光本身所產生的情況。這導致變異的折射率與輻射光本身的輻照度成正比。這種折射率的變化導致了的非線性光學效應的自聚焦、自相位調制以及調制不穩定性，并且是克爾透鏡鎖模的基礎。此效應僅在非常強烈的光束下才能較明顯的表現出來，比如激光。
磁光克爾效應磁強計簡介
具有非常高的靈敏度。當薄膜厚度只有納米量級的時候,激光光斑這磨小區域所產生的磁信號改變,都能檢測出來,應該說比上述各種磁強計靈敏度都高。 它們共同的特點是具有較高的靈敏度,主要用來測量靜態磁性,包括技術磁化曲線、磁滯回線,退磁曲線、磁熱曲線,及其中所包含定義的各種參數。如飽和磁化強度Ma,剩余
磁光克爾效應的概念介紹
在磁光克爾效應，根據反映的磁材料具有輕微旋轉偏振平面。它類似于法拉第效應下的兩極分化的透光旋轉。
克爾效應實驗的實驗方法
1.放入克爾盒，并轉動至消光位置；2.接通克爾盒的偏轉電源，即可觀察到屏幕上有光亮。改變兩極板之間的電壓，可以觀察到屏幕上的光強會隨之變化；3.保持兩極板之間的電壓不變，旋轉克爾盒，同樣可以觀察到屏幕上光強變化。
克爾磁光效應的概念和應用
線偏振光入射到磁化媒質表面反射出去時，偏振面發生旋轉的現象。也叫克爾磁光效應或克爾磁光旋轉。這是繼法拉第效應發現后，英國科學家J.克爾于1876年發現的第二個重要的磁光效應。按磁化強度和入射面的相對取向，克爾磁光效應包括三種情況：極向克爾效應, 即磁化強度 M 與介質表面垂直時的克爾效應;橫向克爾效
克爾效應實驗的實驗方法介紹
1.放入克爾盒，并轉動至消光位置；2.接通克爾盒的偏轉電源，即可觀察到屏幕上有光亮。改變兩極板之間的電壓，可以觀察到屏幕上的光強會隨之變化；3.保持兩極板之間的電壓不變，旋轉克爾盒，同樣可以觀察到屏幕上光強變化。
克爾效應實驗的實驗注意事項
內盛某種液體（如硝基苯）的玻璃盒子稱為克爾盒，盒內裝有平行板電容器，加電壓后產生橫向電場。克爾盒放置在兩正交偏振片之間。無電場時液體為各向同性，光不能通過P2。存在電場時液體具有了單軸晶體的性質，光軸沿電場方向，此時有光通過P2（見偏振光的干涉）。實驗表明 ，在電場作用下，主折射率之差與電場強度的平
克爾效應實驗的實驗注意事項
內盛某種液體（如硝基苯）的玻璃盒子稱為克爾盒，盒內裝有平行板電容器，加電壓后產生橫向電場。克爾盒放置在兩正交偏振片之間。無電場時液體為各向同性，光不能通過P2。存在電場時液體具有了單軸晶體的性質，光軸沿電場方向，此時有光通過P2（見偏振光的干涉）。實驗表明 ，在電場作用下，主折射率之差與電場強度的平