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中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員歐欣課題組和西安電子科技大學郝躍課題組教授韓根全合作，在氧化鎵功率器件領域取得新進展。該研究成果于12月10日在第65屆國際微電子器件頂級會議——國際電子器件大會（International Electron Devices Meeting, IEDM）以口頭報告形式正式發布：First Demonstration of Waferscale Heterogeneous Integration of Ga2O3 MOSFETs on SiC and Si Substrates by Ion-Cutting Process。這是我國（包括港、澳、臺）在IEDM會議上發表的首篇超寬禁帶半導體領域的論文，說明我國也成為氧化鎵研究領域的重要創新國家之一。 氧化鎵作為第三代寬帶隙半導體材料，具有禁帶寬度更大、擊穿場強更高的優勢。Ga2O3 是帶隙最大的寬禁帶半導體材料之一，對于大功率、高頻裝......閱讀全文
中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員歐欣課題組和西安電子科技大學郝躍課題組教授韓根全合作，在氧化鎵功率器件領域取得新進展。該研究成果于12月10日在第65屆國際微電子器件頂級會議——國際電子器件大會（International Electron Devices Meeting, IEDM）
行業的領先廠商 既然這個材料擁有這么領先的性能，自然在全球也有不少的公司投入其中。首先看日本方面，據半導體行業觀察了解，京都大學投資的Flosfia、NICT和田村制作所投資的Novel Crystal是最領先的Ga2O3供應商。 相關資料顯示，Fl