HIT電池工藝流程
HIT電池的一大優勢在于工藝步驟相對簡單，總共分為四個步驟：制絨清洗、非晶硅薄膜沉積、TCO制備、電極制備。
制備的核心工藝是非晶硅薄膜的沉積，其對工藝清潔度要求極高，量產過程中可靠性和可重復性是一大挑戰，目前通常用PECVD法制備。
HIT電池的制備工藝步驟簡單，且工藝溫度低，可避免高溫工藝對硅片的損傷，并有效降低排放，但是工藝難度大，且產線與傳統電池不兼容，設備資產投資較大。
HIT電池優勢和特點
HIT電池具有發電量高、度電成本低的優勢，具體特點如下：
（1）低溫工藝
HIT電池結合了薄膜太陽能電池低溫（＜250℃）制造的優點，從而避免采用傳統的高溫（＞900℃）擴散工藝來獲得p－n結。這種技術不僅節約了能源，而且低溫環境使得a＿Si：H基薄膜摻雜、禁帶寬度和厚度等可以較精確控制，工藝上也易于優化器件特性；低溫沉積過程中，單品硅片彎曲變形小，因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值（約80μm）；同時低溫過程消除了硅襯底在高溫處理中的性能退化，從而允許采用“低品質”的晶體硅甚至多晶硅來作襯底。
高溫環境下發電量高，在一天的中午時分，HIT電池的發電量比一般晶體硅太陽電池高出8－10％，雙玻HIT組件的發電量高出20％以上，具有更高的用戶附加值。
（2）雙面電池
HIT是非常好的雙面電池，正面和背面基本無顏色差異，且雙面率（指電池背面效率與正面效率之比）可達到90％以上，最高可達96％，背面發電的優勢明顯。
（3）高效率
HIT電池獨有的帶本征薄層的異質結結構，在p－n結成結的同時完成了單晶硅的表面鈍化，大大降低了表面、界面漏電流，提高了電池效率。目前HIT電池的實驗室效率已達到23％，市售200W組件的電池效率達到19．5％。
（4）高穩定性
HIT電池的光照穩定性好，理論研究表明非品硅薄膜／晶態硅異質結中的非晶硅薄膜沒有發現Staebler－Wronski效應，從而不會出現類似非晶硅太陽能電池轉換效率因光照而衰退的現象；HIT電池的溫度穩定性好，與單晶硅電池－0．5％／℃的溫度系數相比，HIT電池的溫度系數可達到－0．25％／℃，使得電池即使在光照升溫情況下仍有好的輸出。
（5）無光致衰減
困擾晶硅太陽能電池最重要的問題之一就是光致衰減，而HIT電池天然無衰減，甚至在光照下效率有一定程度的增加，上海微系統所在做HIT光致衰減實驗時發現，光照后HIT電池轉換效率增加了2．7％，在持續光照后同樣沒有出現衰減現象。日本CIC、瑞士EPFL、CSEM在APL上的聯合發表也證實了HIT電池的光致增強特性。
（6）對稱結構適于薄片化
HIT電池完美的對稱結構和低溫度工藝使其非常適于薄片化，上海微系統所經過大量實驗發現，硅片厚度在100－180μm范圍內，平均效率幾乎不變，100μm厚度硅片已經實現了23％以上的轉換效率，目前正在進行90μm硅片批量制備。電池薄片化不僅可以降低硅片成本，其應用也可以更加多樣化。
（6）低成本
HIT電池的厚度薄，可以節省硅材料；低溫工藝可以減少能量的消耗，并且允許采用廉價襯底；高效率使得在相同輸出功率的條件下可以減少電池的面積，從而有效降低了電池的成本。