PECVD--等離子體化學氣相沉積法
為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).
實驗機理：
輝光放電等離子體中：電子密度高(109~1012/cm3)
電子氣溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍
雖環境溫度(100-300℃)，但反應氣體在輝光放電等離子體中能受激分解，離解和離化，從而大大提高了參與反應物的活性。
因此，這些具有高反應活性的中性物質很容易被吸附到較低溫度的基本表面上，發生非平衡的化學反應沉積生成薄膜。
優點：基本溫度低；沉積速率快；
成膜質量好，針孔少，不易龜裂。
缺點：1.設備投資大、成本高，對氣體的純度要求高；
2.涂層過程中產生的劇烈噪音、強光輻射、有害氣體、金屬蒸汽粉塵等對人體有害；
3.對小孔孔徑內表面難以涂層等。