蘇州納米所徐科研究員獲“求是杰出青年成果轉化獎”
日前，第十三屆中國科協“求是杰出青年成果轉化獎”揭曉。 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所徐科研究員等5人因其既注科學研究、又積極推動科研成果轉化為現實生產力、取得了明顯的經濟效益和社會效益、在廣大青年科技工作者中起到了良好的榜樣作用獲得了第十三屆中國科協“求是杰出青年成果轉化獎”。 中共中央政治局委員、全國人大常委會副委員長王兆國為獲獎者頒獎。 “求是杰出青年獎?成果轉化獎”由全國人大常委會原副委員長、中國科協名譽主席周光召提議，并由中國科協于1998年設立。成果轉化獎每年獎勵名額不超過5名。 蘇州納米所作為院地共建的創新型研究所，從建所之初就十分注重科研成果的轉移轉化和產業化工作。徐科是納米所首批引進的研究員之一，在研究所領導的大力支持下，近四年來帶領團隊瞄準氮化物半導體產業的關鍵難題之一――氮化鎵襯底，開展研發和產業化攻關，取得多個重要進展。該項目從研究所的60萬元啟動經費開始，相繼獲得了國家自然科學......閱讀全文
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（一）
全球有40%的能量作為電能被消耗了, 而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。我國作為世界能源消費大國, 如何在功率電子方面減小能源消耗成了一個關鍵的技術難題。伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。 早在1893年諾貝爾獎獲得者法國化
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（三）
SiC的高壓肖特基二極管應該是在幾年內在軌道交通中得到引用。而開關管的應用需要更長的系統評估。中車和國網在這方面的持續投入研發為SiC功率器件研究打下了深厚的基礎，是國家第三代半導體器件發展的中堅力量。 現在大家講第三代半導體產業往往關注于電力電子器件和射頻器件的市場，其實第三代半導體
南科大在新型多溝道氮化鎵電力電子器件領域取得進展
近日，南方科技大學電子與電氣工程系助理教授馬俊與瑞士洛桑聯邦理工大學教授Elison Matioli、蘇州晶湛半導體有限公司董事長程凱等團隊合作，在Nature Electronics發表了題目為“Multi-channel nanowire devices for efficient power
光電化學蝕刻可用于制造氮化鎵中高縱橫比深溝槽
日本SCIOCS有限公司和法政大學曾報導了在氮化鎵（GaN）中利用光電化學（PEC）蝕刻深層高縱橫比溝槽的進展［Fumimasa Horikiri et ?al， Appl． Phys． Express， vol11， p091001， 2018］。 該團隊希望該技術能夠在高場中能夠
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（四）
想要電動機啟動，可不是合上閘這么簡單。想要實現遠程控制和多點控制，需要做的還有很多。本文列舉幾個最基本的電動機控制回路，除了在生產中的機械控制需要用到外，在設計PLC電路時，這些也是必備單元。 本文將由易到難逐一講解。 電動機控制回路常用元件 按鈕▼ 按鈕分為啟動按鈕、停止按
蘇州納米所徐科研究員獲“求是杰出青年成果轉化獎”
日前，第十三屆中國科協“求是杰出青年成果轉化獎”揭曉。 中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所徐科研究員等5人因其既注科學研究、又積極推動科研成果轉化為現實生產力、取得了明顯的經濟效益和社會效益、在廣大青年科技工作者中起到了良好的榜樣作用獲得了第十三屆中國科協“求是杰出青年成果轉化獎”。
氮化鎵基LED用藍寶石圖形襯底－關鍵技術研究通過驗收
3月14日，由中國科學院半導體研究所承擔的北京市科委“氮化鎵基LED用藍寶石圖形襯底關鍵技術研究”項目順利通過北京市科委組織專家組驗收。專家們一致認為：項目的實施有利于提高半導體照明行業自主創新能力和產業競爭力，對推動北京市乃至全國半導體照明行業上游關鍵材料的發展具有重要的意義。 在北京市
我國攻克1200V以上增強型氮化鎵電力電子芯片量產技術
7月8日至10日，首屆全國“紅旗杯”班組長大賽國防科技工業賽道復賽在江蘇南京舉行。復賽以“培育卓越班組長，共筑制造強國夢”為主題，共產生個人一等獎1名、二等獎3名、三等獎6名、優勝獎30名，這40名獲獎選手將參加在吉林長春舉辦的全國總決賽。國防科技工業賽道復賽開幕式現場。? ? ? ? ? ? ?
國家標準氮化鎵材料中鎂含量的測定二次離子質譜法
１國家標準《氮化鎵材料中鎂含量的測定二次離子質譜法》編制說明（預審稿）一、工作簡況1.立項的目的和意義GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SiC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（四）
經過 頻譜分析儀和LISN測試，該設計的EMI符合EN55022B標準，并通過2.2 kV共模模式和1.1 kV 差分模式的浪涌測試。輸入電壓為115 Vac和230 Vac時，系統峰值效率分別超過95%和94%。該參考設計較現有采用硅的216 W電源參考設計減小25%的尺寸，提升2%的
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（三）
設計注意事項 采用GaN設計電源時，為降低系統EMI，需考慮幾個關鍵因素：首先，對于Cascode結構的GaN，閾值非常穩定地設定在2 V，即5 V導通，0 V關斷，且提供±18 V門極電壓，因而無需特別的驅動器。其次，布板很重要，盡量以短距離、小回路為原則，以最大限度地減少元
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（一）
第三代 半導體材料——氮化鎵( GaN)，作為時下新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優勢。與硅器件相比，GaN在 電源轉換效率和功率密度上實現了性能的飛躍，廣泛應用于 功率因數校正(PFC)、軟開關 DC-DC等電源系統設計，以及電源適配器、光伏 逆變器或 太陽能逆變器、服務
第三代半導體材料氮化鎵(GaN)技術與優勢詳解（二）
Cascode相當于由GaN HEMT和低壓MOSFET組成：GaN HEMT可承受高電壓，過電壓能力達到750 V，并提供低導通電阻，而低壓MOSFET提供低門極驅動和低反向恢復。HEMT是高電子遷移率晶體管的英文縮寫，通過二維電子氣在橫向傳導電流下進行傳導。圖1：GaN內部架構及
科學家利用新的制造技術得到納米紫外LED
??? 美國國家標準技術局（NIST）的科學家通過和Maryland大學及Howard大學合作，發明了一種制造微小、高效率發光二極管（LED）的技術。 ??? 該LED發出的是紫外光，這對于很多納米技術包括數據存儲都非常重要。而且裝配過程也非常適于將來投入商業化生產。 ??? 這些納米級別的設備
美空軍資助開發納米氮化硼涂料
?? 在美國空軍的資助之下，美國國家航空暨太空總署（NASA）與美國賓漢頓大學成功研制出氮化硼散熱涂料，可以承受更高溫度而使飛機飛行速度提升，未來10年內，飛機可能在不到1小時的時間用5倍音速從美國東岸飛到西岸！ 雖然，目前氮化硼的單價高達每克1000美元，初步商業化之后小老百姓們也是坐不起的，
利用－ALLOS－的－200－mm－和－300－mm－硅基氮化鎵外延片，將－microL...
利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化鎵外延片，將 microLED 應用于硅產業領域 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應對 microLED 生產產量方面的挑戰，ALLOS 應用其獨特的應變工程技術，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN－on－Si） 外延片
挪威研制最新半導體新材料砷化鎵納米線
挪威科技大學的研究人員近日成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge W
深紫外LED醫療研發成新熱點
深紫外光是指波長100納米到280納米之間的光波，在殺菌消毒、醫療、生化檢測、高密度信息儲存和保密通訊等領域有重大應用價值。與汞燈紫外光源相比，基于氮化鋁鎵(AlGaN)材料的深紫外發光二極管(LED)具備堅固、節能、壽命長、無汞環保等優點，正逐步滲入汞燈的傳統應用領域。同時，深紫外LED的獨特
氮化鋁的特性和應用
特性(1)熱導率高(約320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；(2)熱膨脹系數(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；(3)各種電性能(介電常數、介質損耗、體電阻率、介電強度)優良；(4)機械性能好，抗折強度高于Al2O3和Be
蘇州納米所在氮化硼氣凝膠研究中獲進展
氣凝膠，被譽為改變世界的新材料，具有孔隙率高、比表面積大、密度低、絕熱性能好等優異理化性質，在熱/聲/電絕緣、催化劑/藥物載體、星際塵埃收集、環境修復、能源與傳感等領域具有重要應用前景。然而，其自身力學缺陷，如強度弱、易脆、變形能力差等弊端，尤其是較寬溫度范圍內抵抗不同載荷沖擊能力，成為氣凝膠獲
蘇州納米所在氮化硼氣凝膠研究中獲進展
氣凝膠，被譽為改變世界的新材料，具有孔隙率高、比表面積大、密度低、絕熱性能好等優異理化性質，在熱/聲/電絕緣、催化劑/藥物載體、星際塵埃收集、環境修復、能源與傳感等領域具有重要應用前景。然而，其自身力學缺陷，如強度弱、易脆、變形能力差等弊端，尤其是較寬溫度范圍內抵抗不同載荷沖擊能力，成為氣凝膠獲
美科學家研制氮化鎵制氫，讓光電催化水解制氫更快捷
2011年，美國科學家研制出了一種新的氮化鎵—銻合金，其能更方便地利用太陽光將水分解為氫氣和氧氣，這種新的水解制氫方法不僅成本低廉且不會排放出二氧化碳。 科學家們在美國能源部的資助下，借用最先進的理論計算證明，在氮化鎵(GaN)化合物中，2%的氮化鎵由銻(Sb)替代，這樣結合而成的新合金將擁有
藍綠光半導體激光器將國產化
記者1日從中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所（以下簡稱中科院蘇州納米所）獲悉,該研究所與多家企業合作,成立了國內首家氮化鎵基藍綠光半導體激光器材料和器件生產企業。 這意味著,被國外壟斷的藍綠光半導體激光器將實現國產化。 氮化鎵基藍綠光半導體激光器是第三代半導體材料的重要方向。盡管目前它在市場
俄納米技術公司總經理丘拜斯一行訪問蘇州納米所
近日，俄羅斯納米技術集團公司總經理丘拜斯一行在蘇州工業園區管委會副主任蘇波的陪同下訪問中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所。 在納米所展廳，該所所長楊輝簡要介紹了研究所的概況、主要研究方向以及在成果轉移轉化及產業化方面取得的成績。隨后，丘拜斯一行參觀了實驗室，進一步了解納米所
半導體所等在半導體材料“異構外延”研究中獲進展
半導體產業經過長期發展，已進入“后摩爾時代”，“超越摩爾定律”迎來了高潮，未來半導體產業的發展需跳出原有框架尋求新的路徑。面對這些機遇和挑戰，寬禁帶先進半導體等基礎材料的制備也在孕育突破，新材料、新工藝和異構集成等將成為后摩爾時代的重要技術路線（圖1）。 近期，中國科學院半導體研究所照明研發中
微電子所等研制出國際先進的氮化鎵增強型MISHEMT器件
近日，中國科學院微電子研究所氮化鎵（GaN）功率電子器件研究團隊與香港科技大學教授陳敬團隊，西安電子科技大學教授、中科院院士郝躍團隊合作，在GaN增強型MIS-HEMT器件研制方面取得新進展，成功研制出具有國際先進水平的高頻增強型GaN MIS-HEMT器件。 第三代半導體材料氮化鎵具有高禁帶
六方氮化硼基納米潤滑材料研究取得系列進展
隨著人們對環境保護意識的增強，無污染、無毒、生物降解性好的“綠色”潤滑劑的開發變得尤為重要。由于潤滑劑的主要組成要素為潤滑介質（基礎油、水、離子液體等）和添加劑，因此，開發“綠色”添加劑成為重要研究課題之一。六方氮化硼納米片（h-BNNSs）與石墨烯結構相似，具有優異的生物相容性、機械強度、高溫
新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”獲得技術ZL
近日挪威科技大學的研究人員成功開發出一種新型半導體工業復合材料“砷化鎵納米線”，并申請了技術ZL，該復合材料基于石墨烯，具有優異的光電性能，在未來半導體產品市場上將極具競爭性，這種新材料被認作有望改變半導體工業新型設備系統的基礎。該項技術成果刊登在美國科學雜志納米快報上。 以Helge
磷化銦？“老了點”－石墨烯？“窄了點”
“磷化銦？這是不是寫錯了？”7日上午，政協委員分組討論“十三五”規劃綱要。中科院上海技術物理研究所研究員何力對半導體材料和器件研究多年，而“十三五”規劃綱要中關于高端材料的一段話卻讓他困惑——“ 大力發展形狀記憶合金、自修復材料等智能材料，石墨烯、超材料等納米功能材料，磷化銦、碳化硅等下一代半導
新型數字開關由石墨烯和氮化硼納米管制成
氮化硼納米管和石墨烯的化學結構是制備新型數字開關的關鍵。 科學家將石墨烯和氮化硼納米管結合，制成全新的混合數字開關，可作為電子產品中控制電流的基本元件。未來有望借此制成不含硅半導體的晶體管，讓計算機、手機、醫學設備和其他電子產品的速度更快、體積更小。 石墨烯可“變身”為各種獨特的材料，氮化硼