Hiden推出全新的超高性能四極桿質譜
分析測試百科網訊 近日，Hiden宣布推出一臺全新的DLS-20質譜儀，將高分辨四極桿系統的標準提高到一個新的高度。 該質量過濾器的設計，基于Hiden之前三級質量過濾器技術，并將鉬質量過濾桿直徑放大了20mm，以得到超高質量分辨率和靈敏度，特別適用于低分子量物質的精確測量。該系統可以區分重氫（D2）和氦（He）的混合物，它們都具有4個原子質量單位，并且重氫濃度小于10ppm。 DLS-20四極桿系統在I區和II區穩定區域都可操作。I區調諧通常用于一般氣體分析，具有較寬質量范圍。II區調諧對于較輕的氣體有高的質量分辨率，特別是分子量在10個單位原子質量左右。而且，該系統可以在任一穩定區自由地切換操作。 該系統可以選擇電子轟擊離子源，用于氣體、UHV和分子束的分析。模擬和數字信號檢測器可以使得用戶最大化的優化對正負離子、中性粒子和自由基的分析的速度和穩定性。 ......閱讀全文
Hiden推出全新的超高性能四極桿質譜
分析測試百科網訊 近日，Hiden宣布推出一臺全新的DLS-20質譜儀，將高分辨四極桿系統的標準提高到一個新的高度。 該質量過濾器的設計，基于Hiden之前三級質量過濾器技術，并將鉬質量過濾桿直徑放大了20mm，以得到超高質量分辨率和靈敏度，特別適用于低分子量物質的精確測量
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。 當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子因為不能受到
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子因為不能受到足夠的電
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子
三重四級桿質譜原理
三重四級桿質譜原理:在U的值為500-2000 V，V為0-3000 V 。這樣的電場環境下，離子會根據電場進行震蕩。然而，只有特定荷質比的離子可以穩定的通過電場。當極桿上的電壓被指定時，質量過小的離子會受到很大的電壓影響，從而進行非常激烈的震蕩，導致碰觸極桿失去電荷而被真空系統抽走；質量過大的離子