N摻雜對非晶C薄膜的電子結構與光學性質的影響
用直流磁控濺射法制備了非晶C薄膜及N摻雜非晶C(a-C∶N)薄膜,用紫外-可見分光光譜儀、橢圓偏振儀、俄歇電子能譜(AES)等對薄膜進行了檢測。結果表明:隨源氣體中N氣含量的增加,透過率和折射率變小,而光學帶隙先增大后減小;當薄膜中N的含量很少,N的摻入對sp3雜化C起穩定作用,使得薄膜光學帶隙Eg增大。而較高量N的摻入抑制了sp3雜化C的形成,提高了薄膜中sp2鍵含量,使得薄膜光學帶隙變小。參數D定義為俄歇電子能譜(AES)中最大正峰和最低負峰之間的距離,用俄歇電子能譜中的D值來計算薄膜的sp2鍵的百分含量,俄歇電子能譜(AES)表征也表明:較高量的N的摻入抑制了sp3雜化C的形成。所以應該考慮在較低N分壓條件下摻N來改善非晶C薄膜的光學性能。 ......閱讀全文
N摻雜對非晶C薄膜的電子結構與光學性質的影響
用直流磁控濺射法制備了非晶C薄膜及N摻雜非晶C(a-C∶N)薄膜,用紫外-可見分光光譜儀、橢圓偏振儀、俄歇電子能譜(AES)等對薄膜進行了檢測。結果表明:隨源氣體中N氣含量的增加,透過率和折射率變小,而光學帶隙先增大后減小;當薄膜中N的含量很少,N的摻入對sp3雜化C起穩定作用,使得薄膜光學帶隙Eg
類金剛石薄膜的電子結構及光學性質
以直流磁控濺射制備了類金剛石薄膜,采用原子力顯微鏡(AFM)觀察薄膜的表面形貌,采用俄歇電子能譜(AES)分析薄膜的化學鍵和電子結構。將參數D定義為俄歇電子能譜(AES)中最大正峰和最低負峰之間的距離,用俄歇電子能譜中的D值求得不同沉積氣壓條件下制備的薄膜的sp2鍵的百分含量和sp2鍵與sp3鍵比率
雙重納米結構非晶碳薄膜問世
近日，中科院蘭州化學物理研究所固體潤滑國家重點實驗室空間潤滑材料組，在國際上首次制備了一種具有雙重納米結構的非晶碳薄膜材料。試驗表明，該種薄膜材料具有極為優異的回彈性（彈性恢復系數高達95%），且在真空條
粗晶，準晶，液晶，非晶，納米晶的結構，特點
晶粒是另外一個概念，搞材料的人對這個最熟了。首先提出這個概念的是凝固理論。從液態轉變為固態的過程首先要成核，然后生長，這個過程叫晶粒的成核長大。晶粒內分子、原子都是有規則地排列的，所以一個晶粒就是單晶。多個晶粒，每個晶粒的大小和形狀不同,而且取向也是凌亂的,沒有明顯的外形,也不表現各向異性,是多晶。
非晶半導體的結構特點
非晶半導體與其他非晶材料一樣，是短程有序、長程無序結構。我們以非晶硅為例，說明非晶半導體的結構。共價鍵晶體有確定的鍵長和鍵角，A原子近鄰有4個Si原子，B原子除了和A原子形成一個共價鍵外，還與另外3個原子形成共價鍵，以虛線來表示。在不改變相鄰兩鍵間的鍵角情況下，可以繞AB軸旋轉，以改變虛線聯結的3個
摻雜型ZnS納米粒子的制備及表面修飾對其發光性質的影響
Ag+離子摻雜的ZnS(ZnS:Ag)是一種傳統的發藍光材料。ZnS:Ag商用微米粉的發射光譜峰值位于450 nn左右,在彩色顯像管、彩色顯示管等方面已有廣泛的應用。納米ZnS:Ag發光材料具有體相材料不可比擬的優勢,帶給研究者巨大的吸引力。但是,由于Ag+離子難以摻雜進入ZnS基質晶格,給ZnS:
JMCA封面：OLED材料與鈣鈦礦電池完美結合
有機—無機憑借其理想的帶隙、較長的載流子擴散長度、高吸光系數、較小的激子分離能等優點在近些年聚集了眾多科研工作者的目光，掀起了在光電領域的研究熱潮。根據NREL效率圖，目前基于正置高溫二氧化鈦結構鈣鈦礦電池的光電轉化效率已經突破了22.1%。倒置P-I-N結構平面鈣鈦礦電池因其更適宜于低溫卷對卷
石墨烯非晶碳復合薄膜制備有新突破
在中科院“百人計劃”項目支持下，中科院蘭州化學物理研究所固體潤滑國家重點實驗室低維材料摩擦學課題組在石墨烯-非晶碳復合薄膜的制備研究方面取得新進展。 石墨烯是石墨的基本結構單元，因其獨特的電子傳輸性、量子力學性、電學性和高的比表面積性質，近年來受到物理和材料學界的極大重視。目前
分子極性對性質的影響
溶解性分子的極性對物質溶解性有很大影響。極性分子易溶于極性溶劑，非極性分子易溶于非極性溶劑，也即“同類互溶”。熔、沸點在分子量相同的情況下，極性分子比非極性分子有更高的沸點。這是因為極性分子之間的取向力比非極性分子之間的色散力大。
摻氮SiC薄膜制備及其光學特性的研究
硅碳氮（SiCN）薄膜作為一種新型三元薄膜材料具有優異的光、電和機械性能,此外,該薄膜獨特的發光性能和從可見光到紫外光范圍的可調節帶隙,使其成為很有潛力的發光材料。本論文以制備高質量SiC,SiCN等半導體薄膜材料以及探索其光學特性為研究目標,該材料可用于制備應用于惡劣環境下的光電子器件及作為光學保