SiCMOSFET在汽車和電源應用中優勢顯著（一）
摘要：傳統硅基MOSFET技術日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導體的電、熱和機械特性更好，能夠提高MOSFET的性能，是一項關注度很高的替代技術。商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產品整體性能的改善，特別是導通電阻和開關損耗的大幅降低，這些半導體開關的應用范圍越來越廣。結果，市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高，對性能的要求越來越高。盡管主要的半導體研發機構和廠商下大力氣滿足市場要求，進一步改進MOSFET／ IGBT產品，但在某些時候，收益遞減法則占主導。幾年來，盡管付出投入很大，但成效收獲甚微。技術和產品最終發展到一個付出與收獲不成正比的階段，并不罕見，這是在為新的顛覆性方法和新產品問世奠定基礎。對于MO......閱讀全文
SiC MOSFET在汽車和電源應用中優勢顯著（二）
我們用混動汽車和電動汽車的80kW牽引電機逆變器電源模塊做了一個SIC MOSFET與硅IGBT的對比測試，結果顯示，在許多關鍵參數方面，650V SIC MOSFET遠勝硅IGBT。這個三相逆變器模塊采用雙極性PWM控制拓撲，具有同步整流模式。兩種器件都是按照結溫小于絕對最大額定結溫80％
SiC MOSFET在汽車和電源應用中優勢顯著（一）
摘要：傳統硅基MOSFET技術日趨成熟，正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導體的電、熱和機械特性更好，能夠提高MOSFET的性能，是一項關注度很高的替代技術。商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動等電
碳化硅場效應器件的模型及關鍵工藝技術研究
新型寬禁帶半導體材料SiC兼有高飽和電子漂移速度、高擊穿電場、高熱導率等特點,在高溫、大功率、高頻、光電子、抗輻射等領域具有廣闊的應用前景。作為最重要的SiC器件,SiC場效應器件(主要指SiC金屬—半導體場效應晶體管,MESFET和金屬—氧化物—半導體場效應晶體管,MOSFET)以及基于MOS技術
碳化硅 (SiC)：歷史與應用
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年的歷史，主要用于磨輪和眾多其他研磨應用。利用當代技術，人們已使用SiC 開發出高質量的工業級陶瓷。這些陶瓷
分析碳化硅肖特基二極管在電源中的應用
?? 主動PFC有兩種通用模式：使用三角形和梯形電流波形的不連續電流模式(DCM)和連續電流模式(CCM)。DCM模式一般用于輸出功率在75W到300W之間的應用;CCM模式用于輸出功率大于300W的應用。當輸出功率超過250W時，PFC具有成本效益，因為其它方面(比如效率)得到了補償性的提高，因此
SiC同質外延厚度分析
鈍化層分析 鈍化層作為保護層、絕緣層或抗反射層，在半 導體材料中扮演著重要的角色。 VERTEX 系列 光譜儀是分析鈍化層的理想工具，它可以實 現快速靈敏的無損分析。 磷硅玻璃(PSG)和硼磷硅玻璃(BPSG)中硼和 磷的定量分析 分析SiN等離子層和Si-O基鈍化層 分析超低K層
SiC-LED研究中取得進展 為我國SiC產業注入新活力
中國科學院上海硅酸鹽研究所與半導體研究所通過聯合攻關，在SiC-LED技術路線方面中涉及的核心技術，如SiC單晶襯底、外延、芯片和燈具封裝等方面取得了突破性進展，研制出了多種結構的SiC-LED，并封裝成了燈具，完全打通了SiC-LED技術路線，為SiC-LED技術在半導體照明產業領域的推廣打下
應力誘導曲率對4H-SiC MOS平帶電壓和界面態密度的影響
碳化硅（SiC）上的柵氧化膜會嚴重影響SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的性能。本文作者通過電容 － 電壓（C－V）測試研究了應力／應變引起的曲率對柵氧界面態密度（Dit）的影響。外延晶片的曲率通過薄膜應力測量系統進行測試。在干熱氧化過程中，壓縮／拉伸曲率導致SiO2
新能源技術的EMI分析設計（二）
如果我們采用的IGBT功率器件開關改變電流的通路，可以測量到續流二極管反向恢復特性有高頻振蕩環流（本體二極管的反向恢復特性！）如果我們將IGBT采用寬禁帶半導體SiC器件就可以改善其反向恢復電流的問題，同時提高效率！SiC器件體二極管的1200V／10A反向恢復特性如下：反向恢復電流小不到3A；注意
電子器件的光伏逆變器研制及示范應用項目通過驗收
?? 近日，科技部高新司在廈門組織召開了“十二五”國家863計劃“基于國產寬禁帶電力電子器件的光伏逆變器研制及示范應用”項目驗收會。?? 項目以實現碳化硅和氮化鎵光伏逆變器的示范應用為最終目標，開發了低缺陷SiC外延生長技術、攻克了氮化鎵二極管及增強型氮化鎵三極管設計技術、碳化硅二級管及MOSFET