Nature重磅：硅材料的三個重大發現
硅在人們的生產生活中扮演著重要的角色。在1824年，瑞典化學家貝采里烏斯首次制備出硅單質。而這一發現，開啟了硅元素的探索之路。隨后，晶體硅、有機硅材料也相繼被研發出來。直至今日，硅材料也是現代科技中的一個重要組成部分。硅在空氣中具有良好的化學穩定性，其高溫下的性質則與鋁類似，會在表面處形成一層致密的二氧化硅薄膜，防止進一步被氧化。硅在自然界中的含量僅次于氧元素，主要以氧化物和硅酸鹽的形式存在，例如：石英、沙子、云母和瑪瑙等。硅的電子結構模型與碳元素類似，最外層有兩個s軌道電子和兩個p軌道電子，可形成多重雜化軌道，因此通過硅可以合成出多種氧化物。由于硅的原子序數更高，對最外層電子的束縛能力明顯弱于碳，導致硅在激發條件下容易失去電子，具有很強的光電轉換性能。由于這些特性，使得硅在計算機、集成電路、智能芯片等行業中得到廣泛的應用，成為了構建信息時代的基石。隨著研究者的不斷探索，硅材料更多的特性被發掘。下面，我們就來報道一下近期有關硅材......閱讀全文
Nature重磅：硅材料的三個重大發現
硅在人們的生產生活中扮演著重要的角色。在1824年，瑞典化學家貝采里烏斯首次制備出硅單質。而這一發現，開啟了硅元素的探索之路。隨后，晶體硅、有機硅材料也相繼被研發出來。直至今日，硅材料也是現代科技中的一個重要組成部分。硅在空氣中具有良好的化學穩定性，其高溫下的性質則與鋁類似，會在表面處形成一層致密的
硅與非硅材料“混搭”難題解決
美國加州大學戴維斯分校的科學家最近展示了一種具有三維結構的納米線晶體管，并借助該技術成功將硅與非硅材料集成到了一個集成電路中。研究人員稱，該技術有望幫助硅材料突破瓶頸，為更快、更穩定的電子和光子設備的制造鋪平道路。 硅是目前最常見的一種電子材料，但它并不是萬能的。建立在傳統蝕刻工藝基礎的硅集成
硅與非硅材料“混搭”難題解決
美國加州大學戴維斯分校的科學家最近展示了一種具有三維結構的納米線晶體管，并借助該技術成功將硅與非硅材料集成到了一個集成電路中。研究人員稱，該技術有望幫助硅材料突破瓶頸，為更快、更穩定的電子和光子設備的制造鋪平道路。 硅是目前最常見的一種電子材料，但它并不是萬能的。建立在傳統蝕刻工藝基礎的硅集成
硅納米負極是什么材料
研究人員發現硅納米作為負極理論容量可以達到4200，而目前的石墨負極材料理論也就372，行內很多廠家想用納米硅作為負極材料，問題是硅充電時體積膨脹好幾倍，有出現粉化現象，基本證明納米硅不能單獨作為負極材料，現在比較流行的是硅碳復合材料，緩解硅的膨脹，我們咸陽六元碳晶公司也是初入此行，也想研究開發硅碳
氟硅新材料論壇衢州舉行
11月15~16日，由浙江省化工學會、衢州學院等聯合主辦的2018中國氟硅化工新材料技術與產業高峰論壇在衢州舉行。記者從會上了解到，為進一步鞏固衢州氟硅化工新材料產業的先發優勢，激發創新動力，衢州市政府正在籌劃打造更多產業創新平臺，促進學術界與產業界的溝通對接，吸引更多高科技產品、高端人才前來衢
ICP測定硅材料中多種元素
硅材料具有優異的電學性能和機械性能，是用量最大、應用最廣的半導體材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是極有害的雜質，因此，電子工業中對硅材料的純度要求極高。 由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此類樣品通常需要加入HF，溫度過高易造成B的損失，另外硅材料中雜質含量通常很低，要求分析儀器具有較高的靈敏度
寧波材料所納米硅基負極材料研究取得進展
相對于傳統石墨負極材料（372mAh/g），硅負極材料具有極高的理論比容量（3580mAh/g），是未來高能量密度動力鋰離子電池負極材料首選。但硅負極材料在充放電循環過程中存在體積變化（高達3倍以上），造成硅顆粒粉化，從而引發SEI膜反復再生庫倫效率低，電接觸變差極化增大，使實際硅負極材料循環壽
特殊材料取代硅造出半導體薄膜
美國麻省理工學院（MIT）工程師最近開發出一種新技術，他們用一批特殊材料取代硅，制造出了超薄的半導體薄膜。新技術為科學家提供了一種制造柔性電子器件的低成本方案，且得到的電子器件的性能將優于現有硅基設備，有望在未來的智慧城市中“大展拳腳”。 如今，絕大多數計算設備都由硅制成，硅是地球上含量第二豐
全球最小晶體管拋棄硅材料
北京時間10月7日晚間消息，美國勞倫斯伯克力國家實驗室(以下簡稱“伯克力實驗室”)教授阿里-加維(Ali Javey)領導的一個研究小組日前利用碳納米管和一種稱為二硫化鉬的化合物開發出了全球最小的晶體管。 晶體管由三個終端組成：源極(Source)、漏極(Drain)和柵極(Gate)。電流從
國家硅材料質檢中心落戶東海
選址于東海縣的國家硅材料深加工產品質量監督檢驗中心，近日經國家質檢總局批準啟動建設。東海水晶、石英儲量豐富，擁有硅資源加工企業500多家，硅材料產品1000多個品種，硅產業年產值已突破130億元，成為我國硅材料領域的重要高新技術和產業集聚區。