影響化學位移的因素
化學位移是核磁共振中的一種術語，是化學環境所引起的核磁共振信號位置的變化，具體是用數字來進行表達(相對的，通常使用四甲基硅烷作為基準)。如果你是大學生，有空去幫師兄師姐做做實驗你就會很了解，核磁共振是化合物結構解析的常用手段。影響因素可以表示為內因:有吸電子基團的向低場移動(因為屏蔽作用減少，弛豫所需的外磁場強度可以不用很高);共軛效應的向低場移動(如苯環上的H向低場移動);還有就是各向異構引起的，比如苯環的上方空間(不是苯環上)的H向高產移動，三鍵的鍵方向的向高產移動，雙建上方的H向高產移動。這些有機化學的課本上都有，注意分類，別弄混淆。外因:溶劑，溫度(低溫的時候有的單峰肯能會列分成雙峰，如DMF的)......閱讀全文
化學位移
化學位移：由于原子所處的化學環境不同而引起的內層電子結合能的變化，在譜圖上表現為譜峰的位移，這一現象稱為化學位移。化學位移產生的原因：原子核對內層電子有吸引力，外層電子對內層電子有排斥（屏蔽）作用。當原子的化學環境發生改變時，會引起原子核的吸引力和外層電子的屏蔽作用的改變，從而改變內層電子的結合能，
什么是化學位移？
帶有磁性的原子核在外磁場的作用下發生自旋能級分裂，當吸收外來電磁輻射時，將發生核自旋能級的躍遷，從而產生核磁共振現象。在有機化合物中，處在不同結構和位置上的各種氫核周圍的電子云密度不同，導致共振頻率有差異，即產生共振吸收峰的位移，稱為化學位移。
什么是化學位移
原子核在磁場的作用下會發生自旋，當吸收外來電磁輻射時，會發生核自旋能級的躍遷，產生核磁共振現象，有機化合物中，處在不同結構和位置上的各種氫核周圍的電子云密度不同，導致共振頻率有差異，產生共振吸收峰的位移，稱為化學位移。
什么是化學位移
化學位移是NMR（核磁共振波譜）的術語。表征在不同化學環境下的不同H-1,C-13,P-31,N-15等元素在波譜上出現的位置。就外部因素來說，氘代溶劑對化學位移有一定影響，如用氘代氯仿和氘代DMSO會導致同一H或C的化學位移有變化，但不是很大。影響化學位移的主要因素是所測元素周圍的化學環境。例如烯
化學位移移動方向
由電子效應所引起的屏蔽效應有兩種：順磁屏蔽效應和反磁屏蔽效應。對于反磁屏蔽效應：電子效應大，則正屏蔽效應大。 這是因為在一個分子中，若電子效應大，則外加磁場在分子中某一區域所產生的“誘導磁場”也就大。 因為“誘導磁場”與外加磁場反方向， 化學位移（共振頻率）向高場移動。對于順磁屏蔽效應：電子效應大，
化學位移的產生原因
核周圍電子產生的感應磁場對外加磁場的抵消作用稱為屏蔽效應。核周圍的電子屏蔽效應是化學位移產生的主要原因。通常氫核周圍的電子云密度越大，屏蔽效應也越大，從而需要在更高的磁場強度中才能發生核磁共振和出現吸收峰。
影響化學位移的因素
化學位移是核磁共振中的一種術語，是化學環境所引起的核磁共振信號位置的變化，具體是用數字來進行表達(相對的，通常使用四甲基硅烷作為基準)。如果你是大學生，有空去幫師兄師姐做做實驗你就會很了解，核磁共振是化合物結構解析的常用手段。影響因素可以表示為內因:有吸電子基團的向低場移動(因為屏蔽作用減少，弛豫所
實驗室分析--化學位移基礎知識化學位移的概念
質子或其他種類的磁性核由于在分子中所處的化學環境不同而在不同的磁場強度下顯示共振峰的現象稱為化學位移。
實驗室分析--化學位移基礎知識化學位移的產生
與獨立的質子不同,分子中的各個質子都分別處于特定的化學環境。化學環境主要是指質子的核外電子以及與該質子距離相近的其他原子核或官能團的有關電子的分布、運動及其對周圍空間的影響情況;這些電子在磁場的影響下產生了感應磁場,對質子所處環境中的磁場起了一個正的或負的屏蔽(shielding)影響導致不同的質子
實驗室分析--化學位移基礎知識影響化學位移的因素
在核磁共振氫譜中,影響化學位移的因素主要包括局部屏蔽效應、遠程屏蔽效應、氫鍵效應和溶劑效應等。此外,分子結構中存在的對稱性(對稱元素與核的化學位移等價性密切相關。1.局部屏蔽效應通過影響所研究的質子的核外成鍵電子的電子云密度而產生的屏蔽效應稱為局部屏蔽效應。局部屏蔽效應可分為兩個組成部分,其一是核外