采用俄歇電子能譜 ( AES)和傅里葉紅外光譜 ( FTIR)分析低溫 PECVD法形成納米級 Si Ox Ny 介質膜的微觀組分結構及其與制膜工藝間關系 ,通過橢圓偏振技術測試該薄膜的物理光學性能。研究結果表明 :該介質膜中氮、氧等元素均勻分布 ,界面處元素含量變化激烈 ;高、低反應氣壓變化對膜內微觀組分影響有異 ;該薄膜是既含有類似 Si3N4 、又含有類似 Si O2 的非晶狀態 ,呈現無序網絡結構 ;隨著含氮量或含氧量的增多 ,該膜分別向Si3N4 或 Si O2 成分較多的結構轉化 ;優化制膜工藝形成的富氮 Si Ox Ny 膜的性能與結構方面得到提高。