2月26日，新疆維吾爾自治區科學技術獎勵大會在烏魯木齊召開，2010年度新疆維吾爾自治區科技進步獎突出貢獻獎獲得者和獲獎科技成果受到表彰。由中國科學院新疆理化技術研究所電子信息材料與器件自治區重點實驗潘世烈研究員主持完成的“新型硼酸鹽非線性光學晶體材料的研究”項目榮獲2010年度自治區科技進步一等獎。
潘世烈研究員及其領導的光電功能晶體材料團隊開展新型硼酸鹽非線性光學晶體材料的設計、合成、晶體生長及性能研究。首次設計、生長出具有較大非線性光學系數和雙折射率的新型非線性光學晶體材料Bi2ZnOB2O6。該晶體同成分熔融的特性，獲得了高光學質量的尺寸達35mm*25mm*12mm的Bi2ZnOB2O6晶體。闡明了功能基元和性能之間的關系，發現Bi-O多面體和結構排列一致的BO3基團協同作用導致了晶體大的非線性光學效應【在1064nm處，d31=2.5d36(KDP), d32=7.6d36(KDP), d33=2.6d36(KDP)】以及雙折射率（在404.7nm至1068nm范圍內為0.079-0.100），在國際上所發現同類晶體中處于先進水平。
Bi2ZnOB2O6的成功研制為非線性光學晶體材料的高產、優質、高效產業化提供了新途徑，同時，對其結構-性能關系的研究有力豐富了非線性光學材料設計與合成的理論基礎，為探索新型非線性光學材料提供了新思路。項目組在國內外重要學術刊物上發表文章34篇，其中SCI影響因子4.0以上的有11篇，申請中國發明ZL16項，美國發明ZL1項，填補了自治區非線性光學晶體材料領域的研究空白，達到國際先進水平，獲得自治區科技進步一等獎。
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