新型相變材料實現高速低功耗相變存儲

　　最新一期《科學》雜志發表了中國科學家在相變存儲領域的重大突破：中科院上海微系統與信息技術研究所宋志棠團隊研發出一種全新高速低功耗相變材料——鈧銻碲合金（ScSbTe），用其制成的相變存儲單元實現了700皮秒內（0.7納秒）的高速可逆擦寫操作，操作能耗比現有國際量產鍺銻碲合金（GeSbTe）降低了90%。

　　誰能掌握非遺失、高速讀寫擦存儲材料與電路、高密度納米存儲陣列制備工藝，誰就占領了存儲技術的國際制高點。宋志棠團隊經過十余年的努力，實現了40nm節點相變存儲芯片單元99.99%以上的成品率，研制出4Mb、64Mb 不加修正的芯片。而他們這次在《科學》雜志發表的最新成果，以相變八面體基元理論為指導開發出新型相變材料鈧銻碲合金，使得相變存儲單元的可逆擦寫操作速度首次在1納秒即700皮秒內快速完成，且操作功耗比國際量產的鍺銻碲合金降低了90%。

　　宋志棠表示，新相變材料的這些性能表現，從物理上解決了存儲器低功耗與高速擦寫問題，配上現有量產芯片中的自主高速讀出電路（US8947924），就可以形成我國新一代最先進存儲器。他們還將在高密度、三維存儲芯片上進一步對該材料進行驗證，對我國打破國外封鎖以及國產存儲器跨越式發展、信息安全與戰略需求具有重要的意義。

　　圖片說明：宋志棠團隊優化出新型相變材料，并納米加工成存儲器件，建立了一套高速測試系統。測試結果證明材料的高速存儲性能具有重復性和穩定性。