用于深紫外應用的抗紫外光纖

用于深紫外應用的抗紫外光纖

大多數使用光纖的光譜學應用一般都被限制在230nm波長范圍以上，這是因為標準的具有未摻雜纖芯和摻氟包層的石英光纖經常被深紫外光（波長小于 230nm）損壞。這種曝光現象是由光纖吸收214nm波段的光而形成“色心”引起的。當光纖纖芯材料中混入了其它雜質（如CI）時就會產生色心，同時由 于受到紫外輻射的影響而在Si原子中產生了自由電子對。 

不久前，經過載氫處理的抗紫外光纖（UVI）被研制出來。但由于H2很容易從光纖中釋放出來，所以限制了該抗紫外光纖只能適用于小芯徑光纖，而且使用壽命也有限。最近，隨著纖芯制作工藝的改進，一種新型光纖（UVM）應運而生。這種光纖可以提供長期的非常穩定的30-40 %的導光效率（215nm）。 

所有芯徑為50μm, 100 μm, 200 μm, 400 μm, 600 μm和800 μm的光纖探頭、光纖和光纖束，都可以為用戶提供抗紫外光纖。Avantes制造的所有光纖元件都進行了8小時的預曝光處理，因而可以在215nm處獲得 一個30-40%的連續導光效率。