另外，這樣的結構好處是提高了電流驅動能力，但壞處是當器件關斷時，溝道很快關斷沒有了多子電流，可是Collector(Drain)端這邊還繼續有少子空穴注入，所以整個器件的電流需要慢慢才能關閉(拖尾電流, tailing current)，影響了器件的關斷時間及工作頻率。這個可是開關器件的大忌啊，所以又引入了一個結構在P+與N-drift之間加入N+buffer層，這一層的作用就是讓器件在關斷的時候，從Collector端注入的空穴迅速在N+ buffer層就被復合掉提高關斷頻率，我們稱這種結構為PT-IGBT (Punch Through型)，而原來沒有帶N+buffer的則為NPT-IGBT。
一般情況下，NPT-IGBT比PT-IGBT的Vce(sat)高，主要因為NPT是正溫度系數(P+襯底較薄空穴注入較少)，而PT是負溫度系數(由于P襯底較厚所以空穴注入較多而導致的三極管基區調制效應明顯)，而Vce(sat)決定了開關損耗(switch loss)，所以如果需要同樣的Vce(sat)，則NPT必須要增加drift厚度，所以Ron就增大了。
4、IGBT的制造工藝：
IGBT的制程正面和標準BCD的LDMOS沒差，只是背面比較難搞：
1) 背面減薄：一般要求6~8mil，這個厚度很難磨了，容易碎片。
2) 背面注入：都磨到6~8mil了，還要打High current P+ implant>E14的dose，很容易碎片的，必須有專門的設備dedicate。甚至第四代有兩次Hi-current注入，更是挑戰極限了。
3) 背面清洗：這個一般的SEZ就可以。
4) 背面金屬化：這個只能用金屬蒸發工藝，Ti/Ni/Ag標準工藝。
5) 背面Alloy：主要考慮wafer太薄了，容易翹曲碎片。
5、IGBT的新技術：
1) 場截止FS-IGBT：不管PT還是NPT結 構都不能最終滿足無限high power的要求，要做到high power，就必須要降低Vce(sat)，也就是降低Ron。所以必須要降低N-drift厚度，可是這個N-drift厚度又受到截止狀態的電場約束(太薄了容易channel穿通)。所以如果要向降低drift厚度，必須要讓截止電場到溝道前提前降下來。所以需要在P+ injection layer與N-drift之間引入一個N+場截止層(Field Stop,FS)，當IGBT處于關閉狀態，電場在截止層內迅速降低到0，達到終止的目的，所以我們就可以進一步降低N-drift厚度達到降低Ron和Vce了。而且這個結構和N+ buffer結構非常類似，所以它也有PT-IGBT的效果抑制關閉狀態下的tailing電流提高關閉速度。
問題來了，這和PT-IGBT的N+ buffer差在哪里?其實之制作工藝不一樣。PT-IGBT是用兩層EPI做出來的，它是在P+襯底上長第一層~10um的N+buffer，然后再長第二層~100um的N-Drift。這個cost很高啊!而相比之下的FS-IGBT呢，是在NPT-IGBT的基礎上直接背面打入高濃度的N+截止層就好了，成本比較低，但是挑戰是更薄的厚度下如何實現不碎片。
